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MOSFET 一、MOSFET的种类 1.N通道耗尽型与增强型MOSFET 2.P通道耗尽型与增强型MOSFET N通道空乏型及增強型MOSFET 耗尽型:漏极D及源极S之间以通道连接 增強型:漏极D及源极S之间没有通道 N通道空乏型MOSFET (1) 結構 (2) 符號 於低摻雜量的P型基體內擴散成兩 個高雜量之　區域，分別當作源、 汲極。 上層覆蓋二氧化硅（　 ）層。 閘極未加偏壓時，本身已有通道。 中間的垂直線代表通道。 P型基體：箭頭朝內。 N型通道：源極的箭頭朝外。 其符號是模仿NPN。 N通道空乏型MOSFET (1) 操作情形 ，適當的加入　 電壓，則產生 　有效的電流（此與JFET相同）。 ，通道感應正電荷，並減少通 　道多數載子，使得汲極電流減少（空 　乏模式）。 ，通道感應負電荷，並增加通 　道的載子，使得汲極電流增加（增強 模式）。 N通道增強型MOSFET的結構與符號 P型基體（箭頭朝內）、 N型通 道（源極箭頭朝外）。 中間的垂直虛線表示無通道存在。 (1) 結構 增強型MOSFET的結構與空乏型 MOSFET非常類似。 汲、源極間沒有實質的通道。 (2) 符號 N通道增強型MOSFET (1) 基本動作原理 操作情形 當　　 時，MOSFET處於截止狀態。 當 時，在閘極下方形成一個空乏區。 當　　　（　稱為臨界電壓）時，電子就 被引進入這一空乏區，汲、源極間有了N 型通道，產生電流。 N通道增強型MOSFET (1) 基本動作原理 操作情形 當　　 時，MOSFET處於截止狀態。 當 時，在閘極下方形成一個空乏區。 當　　　（　稱為臨界電壓）時，電子就 被引進入這一空乏區，汲、源極間有了N 型通道，產生電流。 P通道空乏型及增強型MOSFET P通道空乏型MOSFET的結構與符號 (1) 結構：N型基體為製造MOSFET元件的基礎層 ，整個元件是製作在一塊基體上的。 (2)符號 N型基體：箭頭朝外。 P型通道：源極的箭頭朝內。 其符號是模仿PNP。 P通道增強型MOSFET的結構與符號 與空乏型MOSFET類似。 汲、源極間沒有實質的通道。 N型基體（箭頭朝外）、 P型通道 （源極箭頭朝內）。 中間的垂直虛線表示無通道存在。 (1) 結構 (2) 符號 N、P通道增強型MOSFET工作原理 N通道: 利用感應少數載體形成的通到，增加汲極的電流量 P通道: 以P+區為汲極及源極，以電洞為電荷載子，除了vGS、vDS及臨界電壓Vt 為負外，元件的操作方式與N通道相同，電流iD是由源極流向汲極 二、工作原理 1. 電路符號 2.MOSFET特性曲線 3.MOSFET工作特性曲線 4.MOSFET次導通區 1. 2. 3. 4.