第3章 微波集成传输线(1).pptVIP

图 3-6 微带线特性阻抗随w/h的变化曲线 　　由于微带线的金属导带和接地板上都存在高频表面电流, 因此存在热损耗，但由于表面电流的精确分布难于求得, 所以也就难于得出计算导体衰减的精确计算公式。工程上一般采用以下近似计算公式: 3) 微带线的衰减常数α (1) 导体衰减常数αc 　　微带线的衰减包括金属衰减和介质衰减。 式中， we为t不为零时导带的等效宽度; RS为导体表面电阻。 (3-1-39) 为了降低导体的损耗, 除了选择表面电阻率很小的导体材料（金、 银、 铜）之外, 对微带线的加工工艺也有严格的要求。 一方面加大导带厚度, 由于趋肤效应的影响, 导体带越厚, 则导体损耗越小, 故一般取导体厚度为 5~8 倍的趋肤深度; 另一方面, 导体带表面的粗糙度要尽可能小, 一般应在微米量级以下。  (3-1-40) 对均匀介质传输线, 其介质衰减常数由下式决定: (2) 介质衰减常数αd 式中, tanδ为介质材料的损耗角正切。由于实际微带只有部分介质填充, 因此必须使用以下修正公式 (3-1-41) 式中, 为介质损耗角的填充系数。 一般情况下, 微带线的导体衰减远大于介质衰减, 因此一般可忽略介质衰减。但当用硅和砷