Q_ZJ 2-2018氮化镓自支撑衬底片.pdf

Q/ZJ 东莞市中镓半导体科技有限公司企业标准 Q/ZJ 2—2018 代替 Q/ ZJ.2—2012 氮化镓自支撑衬底片 Free-standing GaN substrates 2018 - 11 - 09 发布 2018 - 11 - 15 实施 东莞市中镓半导体科技有限公司 发 布 Q/ZJ 2—2018 目 次 前言 III 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 分类和标记 2 4.1 产品分类 2 4.2 标记 2 5 要求 3 5.1 几何参数 3 5.2 表面质量 3 5.3 电学参数 4 5.4 晶体质量 4 6 试验方法 4 6.1 几何参数 4 6.2 表面质量 5 6.3 电学参数 5 6.4 晶体质量 6 7 检验规则 6 7.1 检验分类 6 7.2 检验项目 6 7.3 交付检验 7 7.4 鉴定检验 7 8 标志、包装、运输和贮存 7 8.1 标志 7 8.2 包装 8 8.3 运输 8 8.4 贮存 8 附录A （资料性附录） 表面质量检测取样区域及位置 9 附录B （规范性附录） 晶体结构与位错密度测试 11 附录C （资料性附录） 激光打印标记位置示意图 13 I Q/ZJ 2—2018 前 言 本标准按照GB/T 1.1—2009 《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》的规定编制。 本标准代替Q/ZJ.2—2012 《自支撑体镓氮衬底片》，与Q/ZJ.2—2012相比，主要有如下变化： ——标准名称“自支撑体镓氮衬底片”改为“氮化镓自支撑衬底片”；英文名称做相应修改，删除 “bulk”，改为“Free-standing GaN substrates”； ——规范性引用文件中“GB/T 2828.1—2003”改为“GB/T 2828.1—2012”； ——删除术语“自支撑体镓氮衬底片”和“半绝缘型半导体”，增加术语“氮化镓自支撑衬底片”、 “半绝缘型衬底”； ——表1中对尺寸为76.2 mm的圆形衬底片的厚度偏差和总厚度变化的要求作了调整；对尺寸为 100.0 mm的圆形衬底片增加了厚度特征代表为B的类别，同时对100.0 mm的圆形衬底片的厚度 偏差和总厚度变化的要求作了调整； ——表2中对项目“刮伤、划痕”、“小丘、坑”的表述及其最大允许值要求作了调整； ——表2中对项目“表面颗粒”的要求作了调整； ——表3中对“n型”的“迁移率”的要求作了调整； ——表4中项目“（1012）±0.5°”修改为“（10-12）”，项目“（0002）±0.5°”修改为“（0002）”； 并对其峰位作了相应调整； —— “6.2.1 表面沾污及划痕”一条的修改：“……按GB/T 6624规定的方法检测。”修改为“…… 按GB/T 6624规定的方法检测，测试区域及位置应符合附录A。”； —— “6.2.2表面坑洞及颗粒”一条的修改：