晶体生长炉控制系统.docxVIP

HOLLIAS-LEC G3 PLC在SiC晶体生长炉控制系统中的应用 作为一种新型的半导体材料，SiC以其优良的物理化学特性和电特性成为制造短波长光电子 器件、高温器件、抗辐照器件和大功率/高额电子器件最重要的半导体材料。特别是在极端 条件和恶劣条件下应用时，SiC器件的特性远远超过了 Si器件和GaAs器件。因此，SiC 器件和其各类传感器已逐步成为关键器件之一，发挥着越来越重要的作用。 从20世纪80年代起，特别是1989年第一种SiC衬底圆片进入市场以来，SiC器件和电 路获得了快速的发展。在某些领域，如发光二极管、高频大功率和高电压器件等，SiC器件 已经得到较广泛的商业应用，发展迅速。经过十几年的发展，目前SiC器件工艺己经可以 制造商用器件。以Cree为代表的一批公司已经开始提供SiC器件的商业产品。 国内的研究所和高校在SiC材料生长和器件制造工艺方面也取得了可喜的成果。目前Si C因片的体生长和外延生长技术已经可以得到应用于商业生产的SiC圆片，市场上可以获 得3英寸的SiC圆片，4英寸的圆片牛产技术也不断研制成熟。中科院物理研究所从2000 年以来投入大量人力和物力进行了 SiC晶体关键生长技术的研发，凭借其多年在晶体生长 的经验和实力雄厚的科研力量，目前物理所已跻身于全球几个有能力生长2英寸SiC半导 体晶体的单位之一，同时己设计并制造出具有口主知识产权的Si