《02半导体三极管及放大电路分析基础》-公开课件（精选）.pptVIP

第二章 半导体三极管及放大电路分析基础 半导体三极管又称双极型晶体管（简称晶体管），是组成各种放大电路的核心器件。本章首先讨论晶体管的结构、分类、工作原理、特性曲线及主要参数，然后着重讨论放大电路的三种组态。以图解法和微变等效电路法作为放大电路的基本分析方法，分析电路的静态工作点和动态技指标。 2.1?????? 半导体三极管 2.1.1?? 基本结构 晶体管的种类很多,按照功率的大小分,有小功率管、大功率管等;按照半导体材料分,有硅管和锗管；按PN结组合的方式可NPN型和PNP型。但从总体上讲它们都是具有两个PN结、三个电极的半导体器件。 2.1.2??????晶体管的电流放大作用 要使晶体管处于放大状态，必须由它的内部结构和外部条件来保证。 一、晶体管内部结构具有的三个特点： （1）发射区掺杂多，多数载流子浓度远大于基区多数载流子的浓度。 （2）基区做得很薄，而且掺杂少。 （3）集电区面积大，保证尽可能收集到发射区发射多数载流子。 二、晶体管的外部条件 应满足其发射结处正向偏置、集电结反向偏置。 三、NPN管共发射极放大电路的放大过程 1 载流子运动情况 （1） 发射区向基区发射自由电子,形成电流的方向相同,称之为发射极电流IE 。 （2） 自由电子在基区的扩散和复合运动,形成了基极电