《2晶体结构缺陷》-公开课件（精选）.pptVIP

习题 习题 * * 要 求：（1）掌握缺陷的形成、类型、缺陷反应式，固溶体的分类、性质及影响因素等； （2）理解硅酸盐材料与缺陷的关系。 重点及难点：缺陷反应式的写法、分析， 各种缺陷浓度的计算 能带理论： 非金属固体 在0K时，导带空，价带满，不导电；当有热能或其他能量时，电子被激发，跃迁至导带中，而在价带中留下空穴，电子和空穴形成了一个附加电场，物质利用电子或空穴导电。 电子导电—— n 型半导体 空穴导电—— p 型半导体 非化学计量缺陷也称电荷缺陷 （1）缺陷符号 缺陷的有效电荷是相对于基质晶体的结点位置而言的， 用“.”、“/”、“×”表示正、负（有效电荷）及电中性。 K＋的空位，对原来结点位置而言，少了一个正电荷， 所以空位带一个有效负电荷。 杂质Ca2+取代Zr4+位置，与原来的Zr4+比，少2个正电荷， 即带2个负有效电荷。 杂质离子Ca2+取代Na+位置,比原来Na+高+1价电荷, 因此与这个位置上应有的+1电价比,缺陷带1个有效正电荷。 杂质离子K+与占据的位置上的