可再生能源概论左然第四章 太阳电池..pptx

第四章 太阳电池;4.1 太阳电池的原理、发展和现状 ;太阳电池的发展历史 ;太阳电池的现状 ;4.2 光吸收与载流子产生 ;光子打到半导体表面，不会立即被吸收，而是进入内部一 段距离。光通量F（光子数/s-cm2）随移动距离x呈指数减少： F(0)为表面（x=0）的光通量，α为吸收系数，它是材料的禁带宽度 和入射光能量（或波长）的函数。 光子进入半导体内部（与表面距离x）的吸收率（即单位体积载流子的产生率）为 ： ;对于间接带隙半导体Si，当样品厚度δ 100μm时，不能吸收hν Eg的全部光子； 对于直接带隙半导体GaAs，样品只要1μm厚度就可以。显然，直接带隙比间接带隙更适合用作太阳电池。 Si和GaAs分别是间接带隙和直接带隙半导体的代表。;由于只有超过带隙能量(即波长小于带隙波长)的光子才能产生电子/空穴对，长波长的光将透过半导体。 由于每个光子只能打出一个电子-空穴对，超过带隙的多余能量只是使太阳电池变热。 ;光伏效应原理 ;光照下的电流和电压 ;如图可见: I-V曲线与载流子的产生率gop成比例下降 ;总电流由两部分相减组成：由通常的二极管方程所描绘的电流项，又称为暗电流Id ，减去光生载流子所产生的电流项，又称为光电流Iop或短路电流Isc。 即： 暗电流 p区少数载流子（空穴）浓度 n区少数载流子（电子）浓度 光电流 ;当电池开路时，I=0。从方程中可解出开路电压V=Voc为 对于特殊的对称结的情况，有p N = n P，τN = τP。方程可以简化为热产生率pN / τN =gth 和光产生率gop的表达式： ：热激发的产生速率;太阳电池的I-V特性 ;在正向偏压Vd 的作用下，通过结的正向电流Id为 Vd :正偏压；γ:二极管的曲线因子，反映了P-N结的结构完整性对性能的 影响，1γ2； Id:正偏压时的二极管电流，即暗电流；Io:二极管反向饱和电流。 二、有光照，但正负电极开路： 开路电压： Isc是太阳电池的短路电流。可看出，降低饱和电流Io可以提高开路电压 Voc。;三、有光照，但正负电极短路 假如在这一光谱段中，每平方厘米每秒的入射光子数是，则载流子产生率g [cm-3﹒s-1]为 式中R为太阳电池表面的反射率，通常情况下它是的函数。 在内建电场作用下漂移过结，产生三种短路光电流（电流密度）： 。于是总的短路光电流是三者之和，即有 在电池设计中，通常引进一个与短路电流有关的光谱响应系数SR (λ)， ;显然，太阳电池的短路电流Jsc 与光谱响应系数SR以及入射的光子数 F（1-R）成正比。太阳电池的总短路电流是全部光谱段贡献的总和，即: 总收集效率为: 其中 为最大可利用的短路电流。一般来讲，太阳电池能收集最大可利用电流的60﹪－90﹪。;太阳电池的工作特性与功率输出 ;在有光照时，同时存在着由光照引起的短路电流Isc和由P-N结两端的负载电压引起的暗电流Id，它们的流动方向恰恰相反。因此，太阳电池的输出电流（此处只考虑大小）是短路电流和暗电流之差，即 上式为理想太阳电池的I-V输出特性。 ;太阳电池的输出功率为 为找出最大功率时的Im和Vm，需解出关于Vm的超越方程 Vm取决于 ，一般Vm = (75－90﹪)Voc，Im=(85－97﹪)ISC。 ;图示出一个典型的光电二极管的I-V曲线和负载线（实际均在第IV象限），图中带剖面线的矩形面积即为最大输出功率Pmax。显然，太阳电池要求输出电流尽可能接近Isc，输出电压尽可能接近Voc。乘积Voc×Isc代表了太阳电池的极限输出功率。定义一个填充因子FF： 即最大输出功率与极限输出功率之比，它恰好是I－V曲线下两块矩形面积（Vm×Im与Voc×Isc）之比。于是最大输出功率可以表示为 Pmax = Voc× Isc×FF FF是 或ln [ (Isc/Io) + 1 ] 的函数。 ; 实际的太阳电池存在着自身的串联电阻RS和旁路电阻RP，它使输出的I-V特性发生改变。其中串联电阻RS是上下电极与P-N结之间的接触电阻和电池的体电阻的总和，旁路电阻Rp是由于表面漏电流引起。串联电阻增大导致太阳电池的短路电流和填充因子降低，旁路电阻减小会使填充因子和开路电压降低，但对短路电流没有影响。 考虑到串联电阻Rs和旁路电阻Rp的实际的I-V特性公式为 ;太阳电池的转换效率;影响转换效率的主要因素 ;对于Si，dVoc/dT＝–2mV∕℃。温度每增加1℃，Voc下降其室温值的大约0.4﹪，η也降低约同样的百分数。例如一个Si太阳电池在20℃时效率为