光刻和刻蚀工艺流程课件.ppt

提高分辨率 提高NA – 更大的凸镜, 可能很昂贵而不实际 – 减小DOF（焦深），会引起制造困难 减小光波长 – 开发新光源, PR和设备 – 波长减小的极限：UV到DUV, 到EUV, 到X-Ray 减小K1 – 相移掩膜（Phase shift mask） 下一代光刻Next Generation Lithography (NGL) 超紫外Extreme UV (EUV) lithography X射线X-Ray lithography 电子束Electron beam (E-beam) lithography EUV 超紫外 l = 10 到14 nm 更高分辨率 预期应用 ~ 2010年 0.1 mm 和以下 X射线光刻（X-ray lithography） λ＝2-40? ，软X射线； 类似于接近式曝光机 很难找到纯的 X-ray源 掩膜制造存在挑战 不大可能在生产中使用 电子束曝光E-Beam λ＝几十－100?；可获得最小尺寸: 14 nm 用于制造掩膜和刻线 可以直写, 不需要掩膜 – 效率很低 光刻总结 光刻：临时的图形转移过程 IC生长中最关键的工艺 需要：高分辨率、低缺陷密度 光刻胶：正和负 工艺过程：预烘、底胶旋涂、PR旋涂、前烘、对准、曝光、后烘PEB、显影、坚膜、检测 分辨率R与λ、NA的关系 下一代