常用的半导体器件的研究.pptVIP

1.1 半导体基础知识 第1章 常用半导体器件 * 第1章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 晶体三极管 1.4 场效应管 1.5 其它半导体器件 * 第一讲 半导体基础知识 一、半导体 二、本征半导体 三、杂质半导体 四、PN结形成和单向导电性 * 1.1 半导体基础知识 1.1.1 半导体 半导体——晶体管——电子电路的核心器件 导 体－－易导电（低价元素），铁、铝、铜等金属物质； 绝缘体－－难导电，高价元素（惰性气体）或高分子物质，橡胶、塑料等； 半导体－－导电性能介于导体与绝缘体之间。硅（Si）、锗（Ge）等，均为四价元素。 物质的导电性能决定于原子结构， 最外层电子数目越少，导电性越强。 * 图1.1 图1.2 共价键晶体结构示意图 1.1.2 本征半导体 ——纯净、具有晶体结构的半导体 （1）常用半导体材料——硅和锗简化原子结构模型。 单晶体：原子排列有序、相距近 相邻原子—共有电子—共有化运动—束缚力 共价键结构。 键内电子——束缚电子(价电子) （2）本征半导体晶体结构 ——共价键结构 * （3）本征半导体中的两种载流子 运载电荷的粒子称为载流子。 ○常温下—价电子由于热运动而获得能量，其中少数能够摆脱共价键的束缚而成为自由电子，同时在共价键中留下空位——空穴。 图 1.3 ○电子(带负电) 外电场 电子电流 空穴(带正电) 填补 空穴电流 ——两种载流子参与导电。 “电子-空穴对” * 本征半导体中，自由电子与空穴成对产生，因此它们的浓度相等，即 ni=pi，下标i表示为本征半导体。 （4）本征半导体中载流子的浓度 热运动 → 电子、空穴成对出现——本征激发. 电子失去能量与空穴相遇 → 电子、空穴成对消失 ——本征复合. 温度一定 → 动态平衡： ni=pi * ◎ 本征半导体： ①有两种载流子——电子、空穴。 ②电子、空穴成对产生/成对消失，浓度随温度明显改变(浓度还与光照有关——光敏器件)； ③常温下，载流子数目很少，导电性很差；温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。 * 1.1.3 杂质半导体 (1)N型半导体:在本征半导体中掺入微量５价元素，如磷、砷等。 磷(P) ▲N型半导体中： 多数载流子——电子 少数载流子——空穴 ① 掺杂产生大量自由电子 “.” P失去电子留下不能移动的正电离子 ② 热激发产生少量电子-空穴对 主要靠电子导电——Ｎ型半导体。 由于５价杂质原子可提供自由电子，故称为施主杂质。 * (2) P型半导体:在本征半导体中掺入微量3价元素，如如硼、镓等。 硼(B) ① 掺杂产生大量空穴 “ 。” 电子填补空穴，使B成为不能移动的负电离子 ▲P型半导体中： 多数载流子——空穴 少数载流子——电子 ② 热激发产生少量电子-空穴对 主要靠空穴导电——P型半导体。 由于3价杂质原子可吸收自由电子, 故称为受主杂质。 * 1.1.4 PN结及其单向导电性 (1) PN结的形成 ① 多子扩散运动：P、N区交界面载子浓度差→多子向对方扩散并复合。 扩散运动 P区空穴浓度远高于N区。 N区自由电子浓度远高于P区。 靠近接触面:P区空穴浓度降低、N区自由电子浓度降低。 * ② 少子的漂移运动： ③ PN结：当参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，即达到动态平衡 宽度稳定的空间电荷区——PN结。 漂移运动 扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，P区失去空穴留下负离子，N区失去电子留下正离子——形成空间电荷区及内电场，内电场阻止多子扩散而产生少子的漂移运动。 * ◎关于PN结： ① 结中几乎无载流子——耗尽层、高阻区； 　 阻止扩散——阻档层、势垒区 ② 无外因时，结宽为定值：几～几十um ③ 平衡PN结（ni=pi）；非平衡PN结 * PN结加正向电压——P正极、N负极： PN结加反向电压——N正极、P负极： (2) PN结的单向导电性 外电场削弱内电场，耗尽层变窄，扩散运动加剧，外电源的作用，形成扩散电流IF（大）。 PN结导通（低阻状态） 内电场被加强，耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流IR。IR≈0，