《第五章_硅外延生长》-公开课件（精选）.pptVIP

* SIMOX材料： 最新趋势是采用较小的氧注入剂量 显著改善顶部硅层的质量 降低SIMOX材料的成本 低注入剂量(~ 4?1017/cm2)的埋氧厚度薄：800～1000? 退火温度高于1300℃，制备大面积(?300mm)SIMOX材料困难 * Smart Cut智能切割兼具有SDB和SIMOX的特点，工艺流程包括热氧化、注氢、低温键合、热处理剥离、精密抛光等。这种方法制得的硅片顶部硅膜的均匀性相当好，单片厚度偏差和片间偏差可控制在10nm以内，另外生产成本也可降低，因为不需要昂贵的专用大束流离子注入机和长时间的高温退火，所以这是一种极有前途的SOI制备技术。特别适用于制备薄硅膜、厚埋氧层材料。 3.Smart Cut * * Smart-Cut技术是一种智能剥离技术 将离子注入技术和硅片键合技术结合在一起 解决了键合SOI中硅膜减薄问题，可以获得均匀性很好的顶层硅膜 硅膜质量接近体硅。 剥离后的硅片可以作为下次键合的衬底，降低成本 * H2 H2 * Smart Cut * Smart Cut * Smart Cut * ELTRAN技术(Epoxy Layer Transfer)外延层转移，独特之处在于在多孔硅表面上可生长平整的外延层，并能以合理的速率将多孔硅区域彻底刻蚀掉 ，该技术保留了外延层所具有的原子平整性，在晶体形成过程中也不产生颗粒堆积或凹