第九章 二极管和晶体管.pptVIP

9.1.2 N型半导体和 P 型半导体 9.1.2 N型半导体和 P 型半导体 9.1.3 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 9.2 半导体二极管 9.2.1 基本结构 9.2.2 伏安特性 9.2.3 主要参数 二极管电路分析举例 9.3 稳压二极管 3. 主要参数 9. 4. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 晶体管电流测量数据 9.4.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 截止区 (3) 饱和区 9.4.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IB