半导体物理_第8讲.ppt

实际的I－V曲线 实际的I－V曲线 正向偏置时，有 小注入下：m=2,jr占主导（势垒区复合电流） 中注入下：m=1，jFD占主导（扩散电流） 注入较大：m=1－2 大注入：m＝2　jp占主导 §6.4　PN结电容 PN结电容来源 势垒电容 扩散电容 只考虑突变结 PN结电容来源 PN结电容主要包括势垒电容及扩散电容两部分 势垒电容：外加正向偏压变化，势垒区宽度变化，引起空间电荷的数量变化。 扩散电容：正向偏压时，在nn’边界及pp’边界的扩散长度内积累了非平衡电子及空穴。扩散区内的电荷数随外加电压变化产生的电容即扩散电容。 C＝dQ/dV 势垒电容 外向偏压增加时，空间电荷区宽度变小，空间电荷数变小，n,p区电荷“存入”势垒区。 外向偏压减小时，空间电荷区宽度变大，空间电荷区宽度，空间电荷数变大， n,p区电荷“取出”势垒区 用CT表示 突变结势垒电容 突变结中N区有均匀的施主杂质浓度，P区有均匀的受主杂质浓度 势垒区中正负电荷总量相等。有， 突变结势垒电容 由上式有耗尽区宽度 高斯方程及泊松方程 突变结势垒电容 势垒区中泊松方程有 电场表示为 突变结势垒电容 电势表示 接触电势差VD和XD为 突变结势垒电容 对P＋N结，NA＞＞ND，xnxp,故XD＝xn,有， 对N＋P结，因ND＞＞NA，xpxn,故XD=Xp 突变结势垒电容 单边结特性