半导体能级缺陷习题.pptVIP

Thanks for attentions! * * 第2章 小结半导体中杂质和缺陷能级 §2.1 掺 杂 晶 体 理想半导体材料 原子静止在具有严格周期性晶格的格点位置上 晶体是纯净的，即不含杂质 (没有与组成晶体材料的元素不同的其它化学元素) 晶格结构是完整的，即具有严格的周期性 实际半导体材料 原子在平衡位置附近振动 含有杂质； 晶格结构不完整，存在缺陷 点缺陷，线缺陷，面缺陷 杂质 与组成晶体材料的元素不同的其他化学元素 形成原因 原材料纯度不够 制作过程中有玷污 人为的掺入 分类(1)：按杂质原子在晶格中所处位置分 间隙式杂质 替位式杂质 杂质原子位于晶格原子的间隙位置 要求杂质原子比较小 杂质原子取代晶格原子而位于格点处 要求杂质原子的大小、价电子壳层结构等均与晶格原子相近 两种类型的杂质可以同时存在 这里主要介绍替位式杂质 分类(2)：按杂质所提供载流子的类型分 施主杂质 受主杂质 第V族杂质原子替代第IV族晶体材料原子 能够施放(Discharge)电子而产生导电电子，并形成正电中心的杂质（n型杂质）? n型半导体 第III族杂质原子替代第IV族晶体材料原子 能够接受(Accept)电子而产生导电空穴，并形成负电中心的杂质（p型杂质）? p型半导体 施主杂质 受主杂质 本征半导体 施主杂质(IV-V) 提供载流子：导带电子 电离的结果：导带中的电子数增加了，这即是掺施主的意义所在 受主杂质(IV-III) 提供载流子：价带空穴 电离的结果：价带中的空穴数增加了，这即是掺受主的意义所在 ccs.sjtu.edu.cn 分类(3)：按杂质原子所提供的能级分 浅能级杂质 深能级杂质 如第IV族材料中加入第III或V族杂质 杂质能级离导带或者价带很近 晶格中原子热振动的能量就足以将浅能级杂质电离 影响半导体载流子浓度，从而改变半导体的导电类型 如第IV族材料中加入非III、V族杂质 杂质能级离导带或者价带很远 常规条件下不易电离 起一定的杂质补偿作用； 对载流子的复合作用非常重要，是很好的复合中心 杂质浅能级的简单计算 类氢原子模型的计算 氢原子基态电子的电离能: 施主杂质电子的电离能: 施主杂质电子的玻尔半径: 氢原子基态电子的玻尔半径 室温 kBT ~26 meV ~几十个meV ~25A 硅-硅间距～5.4A 锗，硅的介电常数为 16，12 施主杂质电子的玻尔半径 修正 （A）NDNA时： n型半导体 有效的施主浓度 ND*=ND-NA EA 因 EA 在 ED 之下 ， ED上的束缚电子首先填充EA上的空位， 即施主与受主先相互 “抵消”， 剩余的束缚电子再电离到导带上。 杂 质 的 补 偿 作 用 NAND 经补偿后，导带中空穴浓度为 NA-ND≈NA 半导体为p型半导体 （B）NAND时： p型半导体 因 EA 在 ED 之下 ， ED上的束缚电子首 先填充EA上的空位， 即施主与受主先相互 “抵消”，剩余的束 缚空穴再电离到价带 上。 ED 有效的受主浓度 NA*=NA-ND （C） NA≌ND时 杂质的高度补偿 本征激发的导带电子 Ec ED EA Ev 本征激发的价带空穴 杂质的高度补偿 控制不当，使得ND ≈ NA 施主电子刚好够填满受主能级 虽然杂质很多，但不能给半导体材料提供更多的电子和空穴 一般不能用来制造半导体器件 （易被误认为纯度很高，实质上含杂质很多，性能很差） 深能级杂质 非III，V族杂质在硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带底较远，他们产生的受主能级距离价带顶也较远，成为深能级，深能级杂质。 深能级杂质通常能产生多次电离，每次电离对应一个能级。 Ec Ev ED EA1 EA2 EA3 Au 掺入 Si EA3EA2EA1 电子的库伦排斥力 0.04 0.2 0.15 0.04 III-V族化合物半导体中的浅能级杂质 在III-V族化合物中掺入不同类型杂质： II族元素 GaAs: 铍(Be),镁(Mg),锌(zn),镉(Cd) EA=Ev+0.02-0.03 eV VI族元素 GaAs: 硫(S),硒(Se) ED=Ec-0.006 eV IV族元素 GaAs: 硅(Si) Ev+0.03eV, Ec-0.006 eV （杂质的双性行为） 锗(Ge) Ev+0.03eV, Ec-0.006 eV 等电子杂质 GaP: 氮(N) Ec-0.01 eV (等电子陷阱引起） 等电子杂质 与基质晶体原子具有同数量价电子的杂质原子称为等