微电子学试验教程.pdf

微电子学实验教程 赵萍 邢立冬 编 西安邮电大学 序 言 本教材适用于微电子学专业及电子信息类专业研究生及本科生高年级学生。本 课程是一门面向微电子学专业的重要实践课程，要求学生先修完：大学物理，半导 体物理，半导体器件物理，微电子学概论，模拟电子技术，数字集成电路设计，微 电子制造技术和计算机辅助设计等理论课程。 本实验教材涵盖半导体材料特性与微电子技术工艺参数测试分析、半导体器件 性能参数测试、集成电路性能参数测试与 EDA技术三部分实验内容。 要求学生掌握半导体材料特性测试技术、微电子技术工艺参数测试分析技术和 微电子器件参数测试与应用技术，能够熟练使用集成电路 EDA工具软件。 实验计划安排按照《微电子学实验》课程教学大纲，要求本科生在所列 22个实 验中选作完成 16个实验，64学时完成。 本教材是在参考和吸取了其他兄弟院校先进的实践教学经验，根据我院的实际 情况，经过微电子学实验室教师进行大量实验的基础上编撰而成的。并增加了一定 的设计性、创新性、综合性实验内容。 在教材编写过程中，得到了微电子学教研室全体教师的大力支持，在这里要感 谢微电子学教研室老师的支持和帮助，尤其要衷心感谢西安电子科技大学桂智彬老 师的无私帮助和指导。限于水平和经验，加之时间仓促、实验条件有限，本教材中 难免存在一些缺点和不足，望使用本书的教师和同学提出批评指正。 微电子学实验室 2012 年 7月 目 录 实验一 四探针法测电阻率 1 实验二 半导体霍尔效应 12 实验三 用图示仪测量双极型晶体管直流参数 23 实验四 晶体管开关时间的测量 34 实验五 场效应晶体管参数测量 41 实验六 光电导衰减法测量单晶硅非平衡少数载流子寿命 48 实验七 半导体材料层错、位错的显示 55 实验八 p-n 结的显示与结深的测量 60 实验九 用椭偏仪测量薄膜厚度 64 实验十 晶体管特征频率的测量 71 实验十一 晶体管瞬态热阻的测量 77 实验十二 双极性运算放大器参数的测试 82 实验十三 版图电路分析 96 实验十四 几种数字门电路的计算机模拟与仿真 100 实验十五 运算放大电路应用电路的仿真与测试 104 实验十六 数字电路版图设计 110 实验十七 MOS 结构高频 C-V 特性测试117 实验十八 模拟集成电路设计与仿真 125 实验十九 微电子芯片、分立器件解剖及图形观察 129 实验二十 稳压电源及应用电路的设计与测试 133 实验二十一 晶闸管伏安特性及触发特性测量 142 实验二十二 晶闸管通态峰值压降的测量 148 实验二十三 变温霍尔效应实验 150 实验二十四 恒流源及脉冲法测试实验 164 实验二十五 功率放大电路的测试 170 实验二十六 压力和温度传感器实验 180 附录：本书涉及到的主要器件的管脚图 186 实验一 四探针法测电阻率 电阻率是反映半导体材料导电性能的重要参数之一。测量电阻率的方法很多，四探针法是 一种广泛采用的标准方法。它的优点是设备简单、操作方便、精确度高，对样品的几何形状无 严格要求。 实验目的：掌握四探针测试电阻率的原理和方法；针对不同几何尺寸的样品测试电阻率时， 应掌握其修正方法；了解影响电阻率测量的各种因素及改进措施；了解利用阳极氧化剥层法求 扩散层中杂质浓度分布的方法。 一、实验原理 在一块相对于探针间距可视为半无穷大的均匀电阻率的样品上，有两个点电流源1、4，电 流由1流入，从4流出。2、3是样品上另外两个探针的位置，它们相对于1、4两点的距离分别为r1