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微波半导体材料 宽带隙半导体微波器件 近年来,以SiC、GaN和半导体金刚石为代表的宽带隙半导体微波器件的研究开发引入注目。这类器件适宜在高频、高温(500℃)、强辐射环境下工作,具有优异的微波功率性能,其中以SiC的器件技术最为成熟。 讨 论 1、单晶硅（s-Si）、多晶硅（p-Si）与非晶硅（a-Si）在结构与性能上的差异 Single Crystal Silicon; Polycrystalline Silicon and Amorphous Silicon 2、应用举例 The most important and fundamental electronic materials and devices（电子材料与器件）; photoelectronic devices（光电器件）; Solar Cells（太阳能电池）; Photovoltaic Cells (光伏电池)Integrated Circuit (IC，集成电路), etc. 3.1.2 半导体材料的地位 几种主要半导体的发展现状与趋势 讨论：Si与III-V族化合物半导体的区别 带隙宽(Larger Forbidden Gap, Eg)，适于高温器件应用； 载流子迁移率高（Higher Carrier Mobility，μe/ μh ）;适于高频高速应用； 直接跃迁型(Direct Transit