固体物理第五章53 半导体及其电阻率.pptVIP

5.3 半导体及其电阻率 本节主要内容： 一、半导体的基本特征、结构和分类 二、本征半导体 三、非本征半导体 四、半导体的光吸收 一、半导体的基本特征、结构和分类 半导体的导电性往往由于存在杂质而有很大的改变(如通过掺杂形成P型或N型半导体)。 如果构成半导体的材料很纯, 杂质的贡献可以忽略, 这种半导体称为本征半导体(intrinsic semiconductor). 反之, 如杂质贡献明显, 称为非本征半导体(extrinsic semiconductor)或杂质半导体(impurity semiconductor). 在绝对零度时，半导体都是不导电的。 在一般温度下，半导体的电阻率一般在10-2~109 Ω·cm范围内，介于导体(10-6 Ω·cm)和绝缘体(1014~1023 Ω·cm)之间。 对于金属而言，电阻随温度的降低而迅速减小，电阻的温度系数dR/dT 0 而对于半导体来说，其电阻随温度的降低而升高，电阻的温度系数dR/dT 0。 半导体的能带结构和绝缘体类似 把能量最高的满带称为价带，能量最低的空带称为导带。价带顶和导带底都称为带边。导带边和价带边的能量差，称为带隙宽度，常表示为 其中，εg、εC和εV分别对应带隙宽度、导带底能量和价带顶的能量。