晶体硅异质结HIT太阳电池的低温金属电极技术.pdfVIP

晶体硅异质结(HIT)太阳电池的低温金属电极技术 1 1 1 2 1 2 2 刘正新 、孟凡英 、刘毓成 、罗彬 、俞健 、包健 、冯志强 1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所、新能源技术中心 2.常州天合光能有限公司、光伏科学与技术国家重点实验室 (Email: z.x.liu@mail.sim.ac.cn) 摘要：近年来，晶体硅异质结(HIT)太阳电池因为其转换效率高、温度系数低等优点而受 到业界的高度关注。由于HIT 电池的整体工艺温度在 250 度以下，远远低于普通晶体硅 太阳电池，金属电极（包括电阻率及附着力）成为瓶颈技术。目前，HIT 电池普遍采用低 温银浆及丝网印刷技术制作金属电极，电镀铜技术成为新的开发热点。本文将对 HIT 电 池中技术电极技术及发展趋势进行系统介绍。 1.引言 晶体硅异质结太阳电池技术早在20 世纪80 年代就受到科学家们的关注，进行了 相关的基础研究[1]。日本三洋 （Sanyo）公司在90 年代把异质结太阳电池变成了现 实，研究开发了HIT （Heterojunction with Intrinsic Thin-layer) 电池，公开了 多项HIT 电池的专利技术，并且注册了HIT 商标[2]。三洋公司2009 年在常规厚度® （200 微米）硅片上实现了22.8%的高转换效率。2010 年,三洋公司通过股票交换的 方式完全并入松下（Panasonic），变成Panasonic 的子公司，HIT 技术也得到快速发 展，2011 年在厚度为98 微米的超薄硅片上将转换效率提高到23.9%，2013 年进一步 2 提高到24.7%(面积101.8cm )，其技术发展历史如图1 所示[3-5]。Panasonic 公司利 用HIT 电池中非晶硅薄膜对晶体硅表面的钝化机理，结合IBC （Interdigitated Back Contact）电池中背接触电极的先进概念，于2014 年4 月发表了HIT-IBC （又称HBC） 2 电池技术，转换效率突破25%大关，达到25.6% （面积143.7cm ）[6]，使晶体硅太阳 电池的高效率化技术路线得到创新性发展，转换效率进一步接近理论极限。三洋公司 于1997 年左右开始HIT 电池的大批量生产，2004 年左右生产技术和产量得到大幅度 提高，目前的生产规模约 750MW，其中，在日本约 450MW，马来西亚 300MW。根据 Panasonic 公布的组件输出功率估算，HIT 电池的平均转换效率在22.5%左右。目前， Panasonic 正在进行新一轮扩产计划，计划将日本的生产规模扩大 150MW，马来西亚 扩大100MW，整体生产规模达到1000MW，即1GW。 除日本Panasonic 公司外，世界范围内已有众多企业和研究机构从事HIT 电池的 技术研发。图2 显示截止到2012 年从事HIT 研究的单位以及公开报道的HIT 电池转 换效率的数值。可见HIT 电池的技术研发非常活跃，技术进步迅速，多个单位的HIT 电池转换效率超过20%，甚至22%，预示HIT 电池进入激烈的技术竞争时代。 1 图1. 日本Panasonic(Sanyo)公司的HIT 技术发展历史[4]. 图2.截止2012 年世界范围内从事HIT 技术研发的单位以及公开报道的HIT 电池 转换效率。 我国在HIT 电池方面的技术研发起步较晚，与国外有较大的差距。2007 年， 张群芳首次报道了“高效率n-nc-Si:H/p-c-Si 异质结太阳能电池”，面积1.16cm2 电池的转换效率为17.3%，但是，Voc 只有559.3mV,远远低于其他HIT 电池。2012 年科技部启动了两个有关HIT 电池的“863 计划”项目“MW 级薄膜硅/晶体硅异 质结太阳电池产业化关键技术”,分别由常州天合光能有限公司和上海超日太阳 能科技股份有限公司承担。常州天合光能有限公司联