磁电传感器LL.ppt

§1 磁电传感器原理 对一个匝数为N的线圈，当穿过它的磁通量 发生变化时，线圈产生的感应电动势: 　　 磁通的变化可通过多种方法来实现，如磁铁与线圈之间作切割磁力线运动、磁路中磁阻变化、恒定磁场中线圈面积变化等，因此可制造出不同类型的传感器，用于测量速度、加速度、扭矩等物理量。 按结构方式不同，磁电式传感器可分为动圈式和磁阻式。 霍尔效应演示 霍 尔 效 应 霍 尔 元 件 基本测量电路 主要技术指标 1、额定控制电流IC： 在B=0时，霍尔元件在空气中产生10°C温升的控制电流。它的数值从几毫安至几百毫安。 2、输入电阻Ri ： 霍尔元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻。它的数值从几欧到几百欧，视不同型号的元件而定。温度升高，输入电阻变小，从而使输入电流变大，最终引起霍尔电势变化。为了减少这种影响，最好采用恒流源作为激励源。 3、输出电阻R0： 两个霍尔电势输出端之间的电阻称为输出电阻，它的数值与输入电阻同一数量级。它也随温度改变而改变。选择适当的负载电阻RL与之匹配，可以使由温度引起的霍尔电势的漂移减至最小。 温度对霍尔元件影响 温度误差及其补偿电路 选用温度系数小的材料（砷化铟）、控制电流极并联补偿电阻，起分流作用。 霍尔集成电路 霍尔集成电路可分为线性型和开关型两大类。 集成型霍尔器件 线性型霍尔特性 右图示出了具有双端差动输出特性的线性霍尔器件的输出特性曲线。当磁场为零时，它的输出电压等于零；当感受的磁场为正向（磁钢的S极对准霍尔器件的正面）时，输出为正；磁场反向时，输出为负。 开关型霍尔集成电路 开关型霍尔集成电路是将霍尔元件、稳压电路、放大器、施密特触发器、OC门（集电极开路输出门）等电路做在同一个芯片上。 当外加磁场强度超过规定的工作点时，OC门由高阻态变为导通状态，输出变为低电平；当外加磁场强度低于释放点时，OC门重新变为高阻态，输出高电平。较典型的开关型霍尔器件如UGN3020等。 霍尔特斯拉计（高斯计） 霍尔元件 霍尔传感器用于测量磁场强度 霍尔元件 霍尔式位移传感器 霍尔式压力传感器 霍尔转速表 在被测转速的转轴上安装一个齿盘，也可选取机械系统中的一个齿轮，将线性型霍尔器件及磁路系统靠近齿盘。齿盘的转动使磁路的磁阻随气隙的改变而周期性地变化，霍尔器件输出的微小脉冲信号经隔直、放大、整形后可以确定被测物的转速。 霍尔转速表原理 当齿对准霍尔元件时，磁力线集中穿过霍尔元件，可产生较大的霍尔电动势，放大、整形后输出高电平；反之，当齿轮的空挡对准霍尔元件时，输出为低电平。 霍尔式接近开关用于转速测量演示 开关型霍尔IC 霍尔电流传感器 铁心 其他霍尔 电流传感器 霍尔钳形电流表演示 线性霍尔IC EH=KH IkB * 磁电传感器原理 动圈式磁电传感器 磁阻式电磁传感器 引文：该传感器是以霍尔元件作为其敏感元件和转换元件的传感器，即利用某些半导体材料的霍尔效应原理制成的。 　 霍尔效应（图1） 霍尔电动势与灵敏度（图2） 材料结构及主要技术指标（图3、指标） 霍尔元件的基本测量电路（图6） 电磁特性（曲线图） 误差分析及其补偿方法 应用（图18、图19、图20）） c d a b 在霍尔元件的平面法线方向上施加磁感应强度B，通入控制电流I，则在洛仑兹力的作用，两个霍尔电极上出现相反极性载流子的积累，进而产生霍尔电势UH ，这一现象称霍尔效应. c d a b 霍尔效应对一切导体、半导体都适应. I UH 静电力与洛伦兹力相平衡 霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果： UH=KHIB KH----霍尔器件灵敏度,它是表征在单位磁感应强度和单位控制电流作用时输出霍尔电压大小.与霍尔器件的材料及尺寸有关. 霍尔电势 1）KH= RH / d ，则d要小，霍尔片要薄（1μm）[霍尔系数RH = (μ,ρ) 反映霍尔效应的强弱]; 2）材料电阻ρ与载流子浓度n和其迁移率μ相关; 3）霍尔片长边/短边4，输出不受影响（一般长边/短边=2, 短边通以电流，长边输出UH ） 灵敏度 霍尔片 引线、壳体 环氧树脂封装 Z 霍尔元件尺寸： 4mm × 2mm × 0.1mm 霍尔元件的符号 x 霍尔器件的输出电压一般为数毫伏到数百毫伏，需要放大电路放大其输出电压。 放大电路 4.灵敏度KH ： KH=UH/（IB），它的数值约为10mV／(mA·T)左右。 5.最大磁感应强度BM ： 磁感应强度超过BM时，霍尔电