溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 11 (2014) 118502 溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的 薄膜晶体管 高娅娜 李喜峰 张建华 (上海大学, 新型显示技术与应用集成教育部重点实验室, 上海 200072) ( 2014 年1 月2 日收到; 2014 年2 月25 日收到修改稿) 本文采用溶胶凝胶法制备了锆掺杂铝氧化物(锆铝氧化物) 和铪铟锌氧化物薄膜, 并用于制造薄膜晶体管 的绝缘层和有源层. 锆铝氧化物绝缘层具有较高的介电常数, 其相对介电常数为19.67, 且薄膜表面光滑, 致 密, 其表面粗糙度仅为0.31 nm. 获得的薄膜晶体管具备良好的器件性能, 当器件宽长比为5 时, 器件的饱和 迁移率为21.3 cm /Vs, 阈值电压为0.3 V, 开关比可以达到 , 亚阈值摆幅仅有0.32 V/dec. 关键词: 薄膜晶体管, 锆铝氧化物, 迁移率 PACS: 85.30.Tv, 81.05.Gc, 77.22.Ch DOI: 10.7498/aps.63.118502 流11 . 为了解决上述问题, 提出高 材料和宽禁带 1 引 言 材料相结合的介电材料12 . ZrO 具有较高的介电 常数(25), 而Al O 是一种典型的宽禁带(8.9 eV) 近年来, 非晶氧化物薄膜晶体管(TFT) 由于具 13 材料 . 我们将Al O 掺杂与ZrO 中形成新的锆 有良好光学透过率、较高场效应迁移率、大面积的 铝氧化物(AZO) 介电材料. 并通过溶胶凝胶技术 均匀性等优点, 而在平板显示产业得到广泛的应 制备了AZO 薄膜, 并用作TFT 器件的绝缘层, 有 12 用 . 传统的制备非晶氧化物的方法大多需要真 源层采用铪铟锌氧化物(HIZO) 薄膜, 其中Hf 的加 空工艺3 , 制造成本高. 溶胶凝胶法无需真空, 设 入可以有效的抑制载流子浓度, 降低关态电流和减 备简单, 工艺简单, 生产成本低, 从而引起了人们 14 小亚阈值摆幅 . 文中还研究了不同沟道宽长比 广泛研究4 . 随着显示器件的分辨率越来越高, 对 ( ) 对AZO TFT 器件性能的影响. TFT 器件提出了更高的要求, 即器件越来越小, 栅 绝缘层的单位电容必须进一步提高. 通常通过降 2 实 验 低绝缘层厚度和高介电常数() 绝缘层来提高单位 电容. 在保持相同电容的情况下, 高介电常数() 本文采用溶胶凝胶法制备的AZO 薄膜和HI- 材料的绝缘层相对较厚, 能够有效的降低漏电流 ZO 薄膜分别作为TFT 器件的绝缘层和有源层. 通 56 引起的结构缺陷和隧穿电流 . 因此高 材料如 过将三仲丁氧基铝和氧氯化锆按