太阳能电池效率极限.pptVIP

复习 1 太阳能发电原理和影响因素 1.1 光的吸收与载流子复合 1.2 光照的影响 1.3 光谱响应 1.4 温度的影响 1.5 寄生电阻的影响 1.1 光的吸收与载流子复合 当光照射到半导体材料时，拥有比禁带宽（Eg）还小的能量（Eph）的光子与半导体的相互左右极弱，于是顺利地穿透半导体，就如半导体是透明的一样。 然而，能量比带隙能量大的光子（EghEg）会与形成共价键的电子相作用，用它自身所具有的能量去破坏共价键，形成可以自有流动的电子-空穴对。 光子的能量越高，被吸收的位置就越接近半导体表面，较低能量的光子则在距半导体表面较深处被吸收。 单位体积内电子-空穴对的产生率可用下式表示： N为光子的流量（每秒流过单位面积的光子数量），α是吸收系数，x是到表面的距离。 在300K时，对于硅材料，α和波长的函数关系 1.1 光的吸收与载流子复合 当光源被关掉后，系统势必会回到一个平衡状态。在没有外界能量来源的情况下，电子和空穴会无规则运动直到他们相遇并复合。 任何表面或内部的缺陷、杂质都会促进复合的产生。 材料的载流子寿命可以定义为电子空穴对从产生到复合的平均存在时间。对于硅，典型的载流子寿命约为1μs。 类似的，载流子的扩散长度就是载流子从产生到复合所能移动的平均距离。对于硅，扩散长度一般是100~300μm。 这两个参数为太阳能电池应用的材料提出参考。