请注意,h参数是一种小信号参数,也称微变参数或交流参数。h参数的大小与工作点有关,所以 h 参数只适合对交流小信号的分析。其次h参数的求解都有一 定的条件,四个h参数也有一定的物理意义,将在下面介绍 。 2.4.1.3 h参数的求解 2.4.4.3 共集组态放大电路的特点 2.4.5.2.1 求电压放大倍数 2.4.5.3 共基组态放大电路的特点 共基组态放大电路如图02.02.50所示。它的基极交流电位等于0,相当基极交流接地,输入信号接发射极,输出信号从集电极引出。 图02.02.50 共基组态放大电路及直流通路 共基组态放大电路的静态分析与分压偏置共射放大电路一样,它们的直流通路完全一样,在此仅给出结果。 2.4.5 共基组态基本放大电路 2.4.5.1 共基组态基本放大电路的静态分析 工作点的基极电流: 工作点的集电极电流: 晶体管的管压降: c CQ CC CEQ (R +Re) I V U - = BQ CQ I β I = U V - e b BEQ CC BQ ) 1 ( R R I + + = b 共基组态放大电路如图02.02.50所示,为求解放大电路的动态参数,先将其微变等效电路画出,见图02.02.51。 图02.02.50 共基组态放大电路 图02.02.51 微变等效电路 根据图示的h参数微变等效电路,可得 2.4.5.2 共基组态基本放大电路的动态分析 于是电压放大倍数 这个结果应该是可以预见到的,它与共射组态基本放大电路的结果一样,只是负号变为正号,表示输出输入同相。输入与输出同相在物理意义上可以这样来理解: 对于NPN管,发射极的静态电位应低于基极;设基极的交流电位为零,如果发射极的交流电位增加,即电位在原来静态的基础上有所增加。所以,发射极交流电位的增加,相当发射结的正偏减小,于是基极电流减小,集电极电流减小,集电极的电位升高。 可见当输入端的发射极电位升高,作为输出端的集电极电位也升高,即共基组态基本放大电路输出信号和输入信号相位相同。 UB=0V UE UBE 2.4.5.2.2 求输入电阻 根据微变等效电路,输入电阻应是Re和另一个电阻的并联。Re是处于输入回路之中,而另一个电阻rbe是处于基极回路之中,所以要把它归算到发射极回路之中,于是输入电阻 作为共基组态放大电路,大的射极电流是输入电流,其输入电阻小于共射和共集组态放大电路也是必然的结果。 2.4.5.2.3 求输出电阻 根据微变等效电路,可以确定共基组态放大电路的输出电阻与共射组态放大电路相同,即 Ro ≈Rc 由此可见,共基组态放大电路和共射组态放大电路有相同的电压增益数值,但共基组态放大电路输出电压和输入电压相位一致,且输入电阻低,输出电阻与共射放大电路相同。 由以上分析可知,共基组态放大电路的基本特点: 1. 共基放大电路不能放大电流,只能放大电压,电压放大倍数在数值上与共射放大电路相同,但输出电压与输入电压同相。 3. 共基放大电路的高频性能良好,通频带在三种组态的放大电路中最宽。 2. 共基放大电路的输入电阻低,输出电阻与共射放大电路相同。 UB 这样因温度变化引起IB的变化,对基极电位就没有多大的影响了,就可以用Rb1和Rb2的分压值来确定基极电位。 动画3-5 图02.02.45共射组态分压偏置基本放大电路,它有稳定工作点的特点。因为 晶体管是一种对温度非常敏感的器件,温度升高,集电极电流增大;温度降低,集电极电流减小。这将造成静态工作点的移动,有可能使输出信号产生失真。在实际电路中,要求流过Rb1和Rb2串联支路的电流远大于基极电流IB。 2.4.6.1 工作点不稳定的主要原因 图02.02.45 工作点稳定放大电路 2.4.6 分压偏置的优点 2.4.6.2 分压偏置稳定工作点的原理 动画3-5 UB Re的串入有稳定工作点的作用。设集电极电流随温度升高而增大,则发射极对地电位升高,因基极电位基本不变, 故UBE减小。UBE的减小基极电流将随之下降,集电极电流将随之下降,反之亦然。这就在一定程度上稳定了工作点。分压偏置基本放大电路稳定工作点的条件,是流过Rb1和Rb2串联支路的电流远大于IB (一般大于十倍左右)。 IB IRb UE UB 在满足 的条件下,可用下列方法计算工作点: 对硅晶体管 对锗晶体管 UBE视
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