第1章半导体二极管和三极管.pdf

知识目标 1．掌握PN 结的单向导电性和伏安特性、半导体二极管的模型及其伏安特性与主要参数、 稳压二极管的稳压原理及稳压电路、三极管的工作状态及伏安特性与主要参数。 2．熟悉PN 结的特性、电流分配及放大作用。 能力目标 1．通过学习半导体二极管基础知识，具备二极管的识别和检测能力。 2．通过学习半导体三极管基础知识，具备三极管的识别和检测能力。 学习重点 1．半导体二极管的模型及其伏安特性。 2．三极管的工作状态、伏安特性及主要参数。 1.1 半导体的基础知识 1.1.1 导体、绝缘体和半导体 在自然界中，有的物质很容易导电，如铜、铝、金等，这些易于导电的物质被称为导体； 有些物质不导电，如塑料、陶瓷、石英，称为绝缘体；此外，还有一类物质，其导电性能介 于导体和绝缘体之间，称为半导体。常用的半导体材料有硅（Si ）、锗（Ge ）、砷化镓（GaAs ）。 半导体材料具有与导体和绝缘体不同的导电特性，具体如下。 （1）热敏特性：当环境温度升高时，半导体的导电能力显著增强。 （2 ）光敏特性：当受到光照时，半导体的导电能力显著增强。利用这种特性可以制成各 种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等。 （3 ）掺杂特性：在纯净的半导体中掺入微量杂质，半导体的导电能力可以增加几十万 至几百万倍。利用这种特性可以制成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶 闸管等。 1.1.2 半导体的晶体结构 半导体中应用最广泛的是硅和锗。锗和硅均是晶体，它们是四价元素，原子的最外电子 层均有 4 个电子。锗和硅原子结构模型如图 1-1 所示，最外层的电子，通常称为价电子。 完全纯净的、晶格结构完整的半导体称之为本征半导体。本征半导体具有晶体结构，原 2 模拟电子技术基础 子在空间形成排列整齐的晶格，由于相邻原子间的距离很小，因此原子最外层的价电子不仅 受到自身原子核的束缚，还要受到相邻原子核的吸引，形成共价键，如图 1-2 所示。 图 1-1 硅和锗原子的结构模型 图 1-2 硅晶体共价键结构示意图 1.1.3 本征半导体的导电特性 本征半导体具有晶体结构，晶体中的共价键具有很强的结合力。因此，当半导体处于热 力学温度 T=0K 时，半导体所有的价电子紧紧束缚在共价键中，没有自由电子，不能导电。 当温度升高或受到光照时，有些价电子就会获得足够的能量，挣脱共价键的束缚，参与导电， 成为自由电子。自由电子产生的同时，会在原来的共价键中留下一个空位，称为空穴。在本 征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现的，称为电 子-空穴对，如图 1-3 所示。半导体在外部能量激励下 （主 要为热激发），产生自由电子和空穴的现象称为本征激 发。外加能量越高，产生的电子-空穴对就会越多。常温 300K 时，硅晶体中电子-空穴对的浓度大约为1.4× 10 3 10 /cm 。 原子失掉一个价电子后而带正电，所以可以把空穴 看成带正电的粒子。当在本征半导体外加一电场时，自 由电子能做定向运动而形成电子电流。与此同时，由于 空穴的存在，价电子在外加电场作用下按一定的方向依 图 1-3 本征半导体中的电子和空穴 次填补空穴，相当于带正电荷的空穴在做与价电子填补空穴运动方向相反的定向运动，形成 空穴电流。 运载电荷的粒子称为载流子。而本征半导体中有两种载流子——带负电的自由电子和带 正电的空穴，它们均参与导电。本征半导体中的电流是电子电流与空穴电流之和。 本征激发产生的载流子又称为本征载流子，在本征半导体中，自由电子和空穴的数目是 相等的。单位体积内本征载流子的数量称为本征载流子浓度。本征激发使得自由电子和空穴 成对出现。但同时，在本征半导体中，自由电子在运动的过程中可能与空穴相遇而填补空穴， 从而使自由电子和空穴成对消失，这种现象称为复合。在一定的温度下，这两种运动达到动 态平衡，从而使得本征半导体中载流子的浓度一定，并且自由电子和与空穴的浓度相等。当 环境温度升高时，热运动加剧，将有更多的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子，因而 半导体中载流子的浓度升高