第三章-产生、复合及器件物理学的基本方程.pptVIP

3.4.2 俄歇复合（Auger） * 俄歇复合过程有三个载流子参与。一个电子与一个空穴复合后，把释放的能量传给了第三个载流子，如导带中的电子。这个电子接收能量后因为热作用最终又回到导带的边缘。 多余的能量传给导带中的电子 多余的能量传给价带中的电子 俄歇复合（Auger） * 俄歇复合是重掺杂材料的最主要的复合形式。 对于俄歇复合，特征寿命为： 少数载流子能带的电子激发 多数载流子能带的电子激发 3.4.3 经由陷阱的复合(SRH) * 半导体中的杂质和缺陷会在禁带间隙中产生允许能级，这个缺陷能级引起经由陷阱的复合。 经由陷阱的复合：电子从导带能级弛豫到缺陷能级，然后再弛豫到价带，最后与一个空穴复合。 载流子被俘获到缺陷能级的概率取决于能级到导带和禁带的距离。如果一个能级被引入到靠近其中一能带的边缘地区，发生复合的可能性将比较小，因为电子比较容易被激发到导带去，而不是与从价带移动到同一个能级的空穴复合。由此可知，处在禁带中间的能级发生复合的概率最大。 少数载流子寿命 * 少子寿命：是指产生电子-空穴对之后，处在激发状态的载流子在复合之前存在的平均时间，用符号τp和τn表示。 一般来说，自由载流子寿命越长，电池的效率越高。 对于少数自由载流子数目少于掺杂数目的材料来说，自由载流子寿命τ和复合率U的关系是： 式中Δn为多出的少