第七章-新型功能材料77953.ppt

掺杂碳化硅 碳化硅经掺杂可以分别得到n型和p型材料，与硅、锗半导体材料相似，Ⅲ族元素起受主作用，而Ⅴ族元素起施主作用。在通常的掺杂半导体碳化硅材料中，铝、硼和氮分别是p型和n型掺杂元素。根据载流子浓度随温度变化的关系，推导得碳化硅材料中氮施主的活化能是0.08eV，而铝和硼受主的活化能却高达0.25eV。硅、锗半导体中的掺杂元素在室温条件下已基本电离，但碳化硅半导体材料的情况却不尽相同，在300K的温度范围，p型材料电导随温度的变化仍相当剧烈，该现象对碳化硅器件的设计有着重要的影响。 ②金刚石 金刚石是最理想的高温半导体材料，禁带宽度是5.45eV，电子和空穴迁移率均高，抗电场击穿强度大，是自然界热导率最高的材料。金刚石半导体材料在高温、高功率器件领域有着极大的潜在应用前景。尤其近年来，人们掌握了在低温、低压下采用化学气相沉积生长金刚石薄膜的技术，金刚石作为高温半导体材料的研究工作更是发展迅速。 自20世纪50年代一直到现在，经历了热丝CVD方法、化学输运法、微波等离子体CVD方法、离子束方法以及火焰法等在低温、低压下沉积金刚石薄膜的技术，其中热丝CVD方法和微波等离子体CVD方法是目前生长金刚石半导体材料的主要技术。 低温、低压化学气相沉积合成特点 与高温、高压合成技术的主要不同点在于金刚石相是在处于亚稳态的条件下进行生长的。在金刚石相析出的同时，还会产生石墨相和非晶碳相，后二者的存在大大抑制金刚石相的沉积。 ①热丝CVD方法：甲烷和氢的混合气体先通过温度高达2000℃的钨丝，因而离化成碳的活化基团和原子氢，在约几kPa的压力下，迁移至加热的衬底上沉积，衬底保持在700~1000℃的温度范围内。 ②在微波等离子体CVD方法中，混合气体在通过微波等离子体区域受激发和电离，变成活化的分子、原子或离子。衬底由于位于等离子体区域，也被诱导加热至700~900℃的温度。 低温、低压CVD方法合成金刚石膜 在低温、低压CVD方法中，原子氢的存在起着极其活跃的作用，如稳定金刚石表面，降低临界晶核尺寸；溶解石墨中碳原子以形成气态的碳氢基团，起清洗和腐蚀石墨的作用。故原子氢的存在有助于金刚石薄膜的生长。 据最新报道，在生长过程中，使纯甲烷和分子氢交替地输送至生长表面，并且存在激发态氦的情况下，金刚石薄膜的生长速度比通常方法的要高50~100倍。 低温、低压CVD技术的发展已经历无定型碳膜、类金刚石薄膜、多晶薄膜和单晶薄膜4个阶段。经激光拉曼谱仪测定，生长完好的多晶金刚石膜仅在1333cm-1处呈现尖锐的特征峰。近年来，在同质衬底和异质衬底上，进行金刚石单晶薄膜外延均获成功，外延层厚达20μm，仍不产生龟裂和多晶。多晶金刚石薄膜同样具有半导体特性，但由于表面粗糙、晶界效应等因素，对制作半导体器件非常不利。因此掌握单晶薄膜的“外延”工艺，便成了研制高质量半导体器件的重要基础。 2. 半导体微结构材料 半导体微结构材料类型： 由两种不同半导体材料所组成的结，称为异质结。 两种或两种以上不同材料的薄层周期性地交替生长，构成超晶格。 当两个同样的异质结背对背接起来，构成一个量子阱。 p-n结是在一块半导体单晶中用掺杂的办法做成两个导电类型不同的部分。一般p-n结的两边是用同一种材料做成的称为同质结。如把两种不同的半导体材料做成一块单晶，称异质结。 由于两种材料禁带宽度的不同以及其它特性方面的差异，使得异质结具有一系列同质结所没有的特性，从而在器件设计上也得到某些同质结不能实现的功能。 超晶格结构 异质外延生长是指不相同材料相互之间的外延生长，AlxGa1-xAs/GaAs表示外延薄膜/衬底；x，(1-x)分别代表的相对含量。 超晶格结构就是这些外延层在生长方向上的周期排列。 例如：在GaAs衬底上有一个由100nm的Al0.5Ga0.5As层和10nm的GaAs层组成的重复结构，用符号表示就是Al0.5Ga0.5As(100nm)/…/Al0.5Ga0.5As(100nm)/GaAs(10nm)/GaAs，因AlGaAs组成在生长方向具有周期性，所以该结构称为超晶格结构。 称其为超晶格是因为它的晶格周期并不是取决于材料的晶格常数(a≈0.5nm)，而是取决于交替层的重复周期(10nm)。 与电子平均自由程相关的超晶格周期对于能否产生量子效应是一个重要参量。 从超晶格诞生以来，随着理论和制备技术的发展，到目前已提出和制备了很多种超晶格。 (1) 组分超晶格 在超晶格结构中，如果超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄膜堆垛而成，则称为组分超晶格。 在组分超晶格中，由于构成超晶格的材料具有不同的禁带宽度，在异质界面处将发生能带的不连续。 组分超晶格示意图 。 (2) 掺杂超晶格 掺杂超晶格是在同一种半导体中，用交替地改变