IC工艺技术应用CMOS集成电路工艺技术应用.pptVIP

外延层的选择 LDMOS Poly Si n+ n+ P sub N well SiO2 CVD SiO2 P- Drain Source LDMOS 电位分布 （六）BCD(Bipolar CMOS DMOS) MOS功率集成电路 将低压控制电路和功率器件集成在同一芯片 　PWM 控制电路 DMOS Bipolar/CMOS/ BiCMOS BCD N-epi M1 P-Sub NPN LPNP P Base LV PMOS LV NMOS N-well P-well BN DN BP BN BN N+ P+ Passivation IMD FOX ILD M2 Poly GOX N-epi M1 P-Sub VDMOS LDMOS P Body Capacitor HV PMOS N-well DN BP BN BN N+ Passivation IMD P-well P+ BN Poly GOX FOX ILD M2 P-well BP IMD P-field P-field BP BP BCD Technology 沟槽隔离技术(2) Poly Si 热电子效应和漏极工程(1) Vds Vgs N+ N+ e* e+e+h e*+e+h e** Emax Isub 热电子效应和漏极工程(2) 最大电场 Emax＝(Vds-Vsat