郑州大学周小平32-恒定磁场的边界条件33--矢量磁位2010.pptVIP

3．2 恒定磁场的边界条件 3.2.1 两种磁介质界面上的边界条件 图3.17 H切向分量的边界条件 1． H切向分量的边界条件 图3.17是两种磁介质的分界面，磁导率分别是?1、?2 ，两种介质中的磁场强度分别是H1、H2, 在不同磁介质的分界面上，由于磁介质的磁导率存在突变，而且在磁介质表面上一般还存在着束缚电流，因此，B和H在经过分界面时要发生突变。 B和H在分界面两侧的变化关系称为B和H在分界面上的边界条件。 与分界面法线的夹角分别是θ1, θ2, 单位法线矢量 由介质2指向介质1。在两种磁介质的分界面上作一个极窄的跨过分界面两侧的矩形回路ABCDA，这个小矩形回路的两边平行于分界面，且分居于分界面两侧，另外两边h垂直穿过分界面，且h→0。 AB=CD=?l，BDC=DCA?0 ，如图3.17中所示。利用安培环路定理 上式的左边可以写为 由于矩形回路极窄， BDC=DCA＝h ? 0 ，上式中第二项和第四项积分为零，所以 由图3.17中可以看出 , 是回路包围的曲 面ΔS的单位法线矢量，所以上式可以写为 （3.40）式的右边可以写为 把（3.41）式和（3.42）式代入（3.40）式可得 界面上无面电流时 所以 由图3.17中可以看出，上式可以写为 所以在两种磁介质的分界面