半导体物理第一章半导体中电子状态.ppt

能量/eV 1.7 III-V族化合物半导体的能带结构 1.GaAs的能带结构： GaAs是直接带隙半导体，导带极小值与价带极大值对应同一波矢 电子跃迁k不变。 当电子从价带转换到导带时，不需要动量转换。 能量/eV 1.10 宽禁带半导体材料 禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料 SiC、GaN等。 制作蓝光、绿光、紫外光的发光器件和光探测器件。 思考题 1-1、?什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 ? 1-2、?试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、?试指出空穴的主要特征。 1-4、简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。 1-1? 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥Eg）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。 其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。 如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。 1-2 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。 温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。 反之，温度降低，将导致禁带变宽。 因此，Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。 1-3 解：空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的集体运动状态，是准粒子