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第十一章 淀积;第十一章 淀积;1、微芯片加工是平面加工工艺，包含在硅片上生 长不同膜层的步骤； 2、淀积工艺是成膜手段之一（还有哪几种？）； 3、导电薄膜（12章）和绝缘薄膜（本章）； 4、结构的一部分或牺牲层； 5、术语：金属层、关键层、介质层 ;第十一章 淀积—11.1 引言;第十一章 淀积—11.1 引言;第十一章 淀积—11.1 引言;第十一章 淀积—11.1 引言;第十一章 淀积—11.1 引言;第十一章 淀积—11.1 引言;薄膜：在一种衬底上生长的薄固体物质； 薄膜淀积：任何在硅片衬底上物理淀积一层膜 的工艺（半导体、导体或绝缘物质）。 ;第十一章 淀积—11.2 膜淀积;薄膜所应该具备的特性： 1、好的台阶覆盖能力； 2、填充高的深宽比能隙的能力； 3、好的厚度均匀性； 4、高纯度和高密度； 5、可控的化学计量配比（stoichiometry） 6、高度的结构完整性和低的膜应力； 7、好的电学特性； 8、对衬底材料或下层膜的好的粘附性。;第十一章 淀积—11.2.1 薄膜特性;第十一章 淀积—11.2.1 薄膜特性;第十一章 淀积—11.2.1 薄膜特性;薄膜生长三阶段： 1.晶核形成 2.聚集成束（岛生长） 3.形成连续膜 高表面速率、低的成核速度 低表面速率、高的成核速度 无定形膜 单晶 多晶;第十一章 淀积—11.2.2 薄膜生长;第十一章 淀积—11.2.3 膜淀积技术;CVD：通过气体的混合反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺，硅片表面及其邻近的区域被加热来向反应系统提供附加的能量。 1、产生化学变化（化学反应、热分解）； 2、膜中的所有的材料物质来源于外部的源； 3、CVD工艺中的反应物以气相形式参加反应。;第十一章 淀积—11.3 化学汽相淀积;CVD 过程中5种基本化学反应： 1、高温分解（化学键断裂）； 2、光分解； 3、还原反应； 4、氧化反应； 5、氧化还原反应。;异类反应（表面）、同类反应（表面上方）;第十一章 淀积—11.3.2 CVD反应;第十一章 淀积—11.3.2 CVD反应;第十一章 淀积—11.3.2 CVD反应;第十一章 淀积—11.3.2 CVD反应;第十一章 淀积—11.3.2 CVD反应;第十一章 淀积—11.3.2 CVD反应;第十一章 淀积—11.3.2 CVD反应;第十一章 淀积—11.4 CVD淀积系统;第十一章 淀积—11.4 CVD淀积系统;第十???章 淀积—11.4 CVD淀积系统;第十一章 淀积—11.4.2 APCVD;第十一章 淀积—11.4.2 APCVD;第十一章 淀积—11.4.2 APCVD;第十一章 淀积—11.4.2 APCVD;第十一章 淀积—11.4.2 APCVD;第十一章 淀积—11.4.2 APCVD;第十一章 淀积—11.4.2 APCVD;第十一章 淀积—11.4.3 LPCVD;第十一章 淀积—11.4.3 LPCVD;第十一章 淀积—11.4.3 LPCVD;第十一章 淀积—11.4.3 LPCVD;第十一章 淀积—11.4.3 LPCVD;第十一章 淀积—11.4.3 LPCVD;第十一章 淀积—11.4.3 LPCVD;第十一章 淀积—11.4.3 LPCVD;第十一章 淀积—11.4.3 LPCVD;第十一章 淀积—11.4.3 LPCVD;第十一章 淀积—11.4.4 PECVD;第十一章 淀积—11.4.4 PECVD;第十一章 淀积—11.4.4 PECVD;第十一章 淀积—11.4.4 PECVD;第十一章 淀积—11.4.4 PECVD;第十一章 淀积—11.4.4 PECVD;第十一章 淀积—11.4.4 PECVD;第十一章 淀积—11.4.4 PECVD;第十一章 淀积—11.4.4 PECVD;第十一章 淀积—11.4.4 PECVD;第十一章 淀积—11.4.4 PECVD;第十一章 淀积—11.5.1 介电常数;第十一章 淀积—11.5.1 介电常数;第十一章 淀积—11.5.1 介电常数;第十一章 淀积—11.5.1 介电常数;第十一章 淀积—11.5.1 介电常数;第十一章 淀积—11.5.1 介电常数;局部氧化（LOCOS）： 采用图形化的Si3N4岛来定义氧生长的区域，但是对于深亚微米器件，隔离结构尺寸过大（氧的侧向生长—鸟嘴）。 浅槽隔离（STI）： 1、更有效的器件隔离； 2、表面积小； 3、超强的闩锁保护能力； 4、对沟道没有侵蚀； 5、与CMP工艺兼容。;第十一章 淀积—11.5.2 器件隔离;旋涂玻璃（SOG）：有机物基于硅氧烷，无机物基于硅酸盐。 ;第十一章 淀积—11.6 旋涂绝缘介质;第十一章 淀积—11.7 外延;第十一章 淀积—11.7