第10章工艺集成1.pptVIP

* * 在集成电路中，引起闩锁效应的初始电流可以由不同的原因产生。 * * 1.集电区包围发射区的结构，使集电极更大程度的收集发射极发射的电子，圆形结构使得基区宽度均匀 2.一帮横向pnp由于发射区浓度以及基区宽度的问题，电流能力较弱，放大倍数较小，因此可以采用多发射极结构，提高有效的发射区周长。 * 衬底pnp不能有埋层。 * 也叫衬底pnp，集电极点位固定接地。 * Pn结的击穿电压和轻掺杂一侧的杂质浓度的倒数成比例。 * 实际上掺杂浓度决定了击穿类型。通常，击穿电压6~7V的属于齐纳击穿，高于此电压的属于雪崩击穿，这是由PN结的内部结构决定的， 能不能恢复只是看PN是不是被物理地烧坏，与产生击穿的机制是无关的！ 齐纳击穿与雪崩击穿的原理? 1）?雪崩击穿? 随着反向电压的提高，空间电荷区内电场增强，通过势垒区的载流子获得的能量也随之增加。当反向电压接近击穿电压UB时，这些有较高能量的载流子与空间电荷区内的中性原子相遇发生碰撞电离，产生新的电子—空穴对。这些新产生的电子和空穴又会在电场的作用下，重新获得能量，碰撞其它的中性原子使之电离，再产生更多的电子—空穴对。这种连锁反应继续下去，使空间电荷区内的载流子数量剧增，就像雪崩一样，使反向电流急剧增大，产生击穿。所以把这种击穿称为雪崩击穿。雪崩击穿一般发生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较低的PN结，空间电