半导体材料硅外延生长.pptxVIP

外延生长用来生长薄层单晶材料，即薄膜 外延生长：在一定条件下，在单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法。 生长的这层单晶叫外延层。（厚度为几微米） ;根据外延生长方法：;根据向衬底输运外延材料的原子的方法不同; ;外延生长的特点; 利用外延片制作半导体器件，特别是化合物半导体器件绝大多数是制作在外延层上，因此外延层的质量直接影响器件的成品率和性能。一般来说外延层应满足下列要求： (1)表面应平整，光亮，没有亮点，麻坑，雾渍和滑移线等表面缺陷。 (2)晶体完整性好，位错和层错密度低。对于硅外延来说，位错密度应低于1000个／cm2，层错密度应低于10个／cm2，同时经铬酸腐蚀液腐蚀后表面仍然光亮。 (3)外延层的本底杂质浓度要低，补偿少。要求原料纯度高，系统密封性好，环境清洁，操作严格，避免外来杂质掺入外延层。 (4)对于异质外延，外延层与衬底的组分间应突变(要求组分缓变的例外)并尽量降低外延层和衬底间组分互扩散。 (5)掺杂浓度控制严格，分布均匀，使得外延层有符合要求而均匀的电阻率。不仅要求一片外延片内，而且要求同一炉内，不同炉次生长的外延片的电阻率的一致性好。 (6) 外延层的厚度应符合要求，均匀性和重复性好。 (7)有埋层的衬底上外延生长后，埋层图形畸变很小。 (8)外延片直径尽可能大，利于器件批量生产，降低成本。 (9