第六章-工艺集成.ppt

* 光刻胶旋涂 SOD SOD 光刻胶 USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨 钨 * Mask #10, 金属接触孔1 * 曝光 SOD SOD 光刻胶 P型阱 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨 钨 * 显影 SOD SOD 光刻胶 USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨 钨 * 刻蚀PE-TEOS和SOD, 并在SiC层停止 SOD SOD 光刻胶 USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨 钨 * 去除光刻胶 SOD SOD USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨 钨 * 光刻胶旋涂 SOD SOD 光刻胶 USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG * Mask #11, 金属沟槽 1 * 對準和曝光 SOD SOD 光刻胶 USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG * 显影 SOD SOD 光刻胶 USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG * 沟槽刻蚀 USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG SOD SOD 光刻胶 * 去除光刻胶 SOD USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG SOD * 氩离子刻蚀清洁 SOD P型阱 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨 钨 SOD * PVD沉积钽和氮化钽阻挡层 SOD P型阱 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨 钨 SOD 钽和氮化钽：阻挡铜的扩散 * USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG PVD 沉积Cu 籽晶层 SOD SOD * 铜电镀沉积 P型阱 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨 钨 SOD SOD 铜 1 铜1 铜1 铜1 * 銅退火 P型阱 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨 钨 SOD SOD 铜1 铜1 铜1 铜1 ~250oC,减小电阻 * CMP金属刻蚀 USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG SOD SOD 銅1 銅1 銅1 銅1 * P型阱 NMOS S/D注入 USG N型阱 光刻胶 STI USG 砷离子, As+ * P型阱 去除光刻胶 USG N型阱 STI USG n+ n+ * P型阱 涂胶 USG N型阱 STI USG n+ n+ 光刻胶 * Mask #8, PMOS S/D注入 * P型阱 曝光 USG N型阱 STI USG n+ n+ 光刻胶 * P型阱 显影 USG N型阱 STI USG n+ n+ 光刻胶 * P型阱 PMOS S/D注入 USG N型阱 STI USG n+ n+ 光刻胶 硼离子, B+ * P型阱 去除光刻胶 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ * P型阱 RTA退火 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ * P型阱 氩离子溅射刻蚀 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ 去除表面自然氧化层 * P型阱 钴(Co)和TiN沉积 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ 钴 氮化钛 TiN 保护Co不被氧化 * P型阱 RTA退火 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ 钴硅化物(CoSi2) 钴 氮化钛 * P型阱 去除TiN，Co USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ 钴硅化物(CoSi2) * P型阱 PECVD 沉积氮化硅 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ 小尺寸器件下，热预算的要求不能使用LPCVD氮化硅 * P型阱 沉积PSG USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG PECVD 氮化硅用来阻止P的扩散 * P型阱 CMP刻蚀PSG USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG * P型阱 光刻胶旋涂 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 光刻胶 * Mask #9, 接触孔 * P型阱 曝光 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 光刻胶 * P型阱 显影 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 光刻胶 * P型阱 刻蚀PSG USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 光刻胶 * P型阱 去除光刻胶 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG * P型井區 氩离子溅射刻蚀 P型晶圓 深埋 SiO2 層 USG N型井區 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 清洁表面