控制超大规模集成电路用水中的溶解氧和总有机碳浓度的研究.pdf

第 8 期 电　　子 　　学 　　报 Vol . 29 　No . 8 　2001 年 8 月 ACTA ELECTRONICA SINICA August 　2001 　 控制超大规模集成电路用水中的溶解氧 和总有机碳浓度的研究 闻瑞梅 ,陈胜利 ( 同济大学电子信息学院 ,上海 200092) ( ) ( ) ( ) 　　摘 　要 : 　本文介绍了溶解氧 DO 以及总有机碳 TOC 对超大规模集成电路 ULSI 用水的污染 ,并列出了高纯水 中 TOC 的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据. 研究了影响水中DO 的因素以及用各种方法降低 TOC 的比较 ,本文设计 ( ) ( ) [ 1～3 ] 了用脱氧膜接触器 ,降低高纯水中的溶解氧. 结合用双级反渗透 RO 及电脱盐 EDI 再加上 185nm 紫外光照射高 纯水 ,使高纯水中的溶解氧和 TOC 分别降至 06 μ μ ,并用键能理论解释了 185nm 紫外降低 TOC 的机理. g/ L 和 07 g/ L 关键词 : 　超大规模集成电路 ; 溶解氧 ; 膜接触器 ; 总有机碳 ; 185nm 紫外线 中图分类号 : 　TN405 　　　文献标识码 : 　A 　　　文章编号 : (2001) Study on Controlling the Concentration s of Di s solve d Oxygen and Tot al Organic Carbon in Wat er U se d for UL SI WEN Ruimei ,CHEN Shenli ( Tongj i University , Shanghai 200092 , China) ( ) ( ) Ab stract : 　In this paper the contamination of water for ULSI by dissolved oxygen DO and total organic carbon TOC and the dependence of the density of defects in the gate oxide on the concentration of TOC in high purity water are described. The factors influ encing the DO incorporation in water are