1.1 半导体的主要特性 绪论.pptVIP

《模拟电子技术》 保定电院 电子教研室 绪论 “电子技术”是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术。二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近现代科学技术发展的一个重要标志。 一、电子技术发展简史 ENIAC 3、集成电路时代：上世纪五十年代末期，世界上出现了第一块集成电路，它把许多晶体管及其它电工、电子元件集成在一块半导体芯片上，使电子产品向更小型化发展。 二、本课程主要内容 1、基本器件：二极管、三极管、场效应管 第一、五章 2、基本放大电路 第二、五章 3、集成运放 第三章 4、整流、滤波、稳压电路 第四章 三、学习方法及成绩考核 1. 掌握基本概念； 2. 熟悉基本结论与方法； 3. 注重电路的外特性； 4. 提高动手操作能力； 5. 自学能力与分析（解题）能力的培养； 6. 预习与复习。 第1章 半导体二极管和三极管 1.半导体及其特性 （1）基本概念 半导体：导电能力介于导体和绝 缘体之间的物质。 （2）半导体的“三敏”特性 光敏----利用此特性可做成各种光电传感器件 热敏----利用此特性可做成各种热敏器件 杂敏----制造各种半导体器件，如半导体二极管、三极管、场效应管及晶闸管等 2、半导体分类 （1）本征半导体：纯净不掺杂质的半导体。导电能力较差。 （2）杂质半导体：掺入杂质元素的半导体称为杂质半导体。导电能力大幅提高。 ① N型半导体：在本征半导体硅中掺入微量的五价元素磷(P)、锑、砷等。 多数载流子（简称多子）―― 自由电子 少数载流子（简称少子）―― 空穴 ② P型半导体：在本征半导体硅中掺人微量的三价元素硼(B)、镓、铟等。 多数载流子（简称多子）――空穴 少数载流子（简称少子）――自由电子 3、PN结 ★ （1）PN结的形成 ① 载流子运动 扩散运动： 漂移运动： 小结 一 半导体的三敏特性：光敏、热敏、杂敏 二 半导体中的载流子：自由电子（负电荷）、空穴（正电荷） 三 半导体的分类： 1. 本征半导体：自由电子=空穴，导电能力弱 2. 杂质半导体：自由电子≠空穴，导电能力强 N型半导体：多子（自由电子），少子（空穴） P型半导体：多子（空穴）、少子（自由电子） 四 PN结： 1.PN结本质：空间电荷区（内电场） 2.PN结单向导电性： 正偏导通（正向电流大，正向电阻小） 反偏截止（反向电流小，反向电阻大） * 电子器件 ?电子电路?电子设备（产品） 《模拟电子技术》与《数字电子技术》、《电力电子技术》共同构成“电子技术课程”体系。 什么是“电子技术”？ 电子技术是研究电子器件、电子电路及其应用的科学技术。 1、电子管时代：第一代电子产品以真空电子管为代表。 18800个电子管 高约2.44米 宽约0.9米、 长约30.48米 占地 167 m2 重30吨 耗电150千瓦 总投资48万美元 2、半导体时代：上世纪四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点，很快地被应用起来，在很大范围内取代了电子管。 4、大规模集成电路时代：单位面积半导体基片上集成的器件越来越多，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。（微电子时代） 考核方法及评分标准：平时成绩（包括：考勤10%、实验15%、作业5%、阶段测验10%）占40%，期末考试成绩占60%。 课外阅读材料： 童诗白、华成英 《模拟电子技术基础》； 阎石 《数字电子技术基础》； 饭高成男等《OHM 电子电气入门丛书》； 1.1 半导体的主要特性 根据导电能力不同，物质可以分为：导体、绝缘体和半导体。 硅(Si)、锗(Ge) ----四价元素，原子核最外层有4个价电子 共价键结构：原子排列很有规律，并且每两个相邻原子共有一对价电子。 键 （3）半导体内部的载流子 载流子：是物质内部运载电荷的基本粒子。 空穴：当价电子挣脱共价键成为自由电子后，在共价键 中就留下一个空位，此空位被称为空穴。 自由电子、空穴对。 （2）杂质半导体： 子 特别注意：杂质半导体中，“多子”与掺杂量有关，与半导体温度无关；而“少子”是由其他能量激发产生的，与半导体温度有着密切关系。 Negative 注意：对于杂质半导