工艺技术6外延.pptxVIP

外延技术讲座提要;一、外延工艺简述;2.外延的优点;CMOS电路的latch-up效应用重掺衬底加外延可以减小这效应;3.外延沉积的原理;4.外延工艺过程;5.HCL腐蚀的作用;6.外延掺杂;掺杂计算 ρTest/ρTarget = DNTarget/ DNTest 实际的修正 由于有自掺杂因此实际掺杂量还应减去自掺杂的量;7.外延参数测定;缺陷的显示;2)电阻率测试;Srp还可测浓度(或电阻率)与结深的关系，可看过渡区宽度，是一个很好的分析测试手段;3)厚度测试;二、外延的一些关键工艺;外延图形漂移的测定;用滚槽法测shift;由于漂移.使光刻套准差.造成电学性能变差;案例分析7800上下片因温度不均匀造成shift不同,引起电学参数不同。;2.图形畸变Distortion;;外延后图形严重畸变对于(111)晶片,取向对畸变影响很大;轻微畸变使图形边缘模糊，使光刻困难;硅源中氯原子的含量上对shift的影响;温度对shift的影响;生长速率??shift的影响;减少畸变和漂移的方法;2. 掺杂与自掺杂;外延过程自掺杂的停滞层解释;外延过程中气流和杂质的走向;具体案例： 重掺衬底使外延电阻率降低;不同的加热方式可以产生不同的自掺杂结果;外延的过渡区;以P/P+为例减少自掺杂的试验;减少自掺杂的方法;3.外延表面缺陷;1)层错;表面颗粒:与外延