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优秀精品课件文档资料 磁电传感器 磁电效应 将材质均匀的金属或半导体通电并置于磁场中，所产生的各种变化称为电磁效应。 在金属或半导体薄片中通以控制电流I，并在薄片的垂直方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上会产生电动势（霍尔电势）。这种现象称为霍尔效应。 若给通有电流的金属或半导体薄片加以与电流方向垂直的外磁场，不但产生霍尔效应，而且试件的电阻值会变大。即产生磁阻效应。 霍尔效应 若将通有电流的导体置于磁场B之中，磁场B（沿z轴）垂直于电流IH（沿x轴）的方向，如图所示，则在导体中垂直于B和IH的方向上出现一个横向电位差UH。 1 霍尔效应 IH UH 霍尔效应的机理（二） 设载流子浓度为n，单位时间内体积为v·d·b里的载流子全部通过横截面，则电流强度IH与载流子平均速度v的关系为 将 代入 得 式中 即为霍尔系数RH。 考虑霍尔片厚度d的影响，引进一个重要参数KH， ， 则 式可写为 KH称为霍尔元件的灵敏度。 霍尔电压的特性 1.在一定的工作电流IH下，霍尔电压UH与外磁场磁感应强度B成正比。这就是霍尔效应检