低ー伝送线路用波帯VCO低雑音.pptVIP

内容 背景 位相雑音 伝送線路 スローウェーブ構造 TL-VCO まとめ 背景 無免許で使用する事が可能なため、60GHz帯の高速無線通信が注目されている。 IEEE802.15.3cで規格されている6Gbpsの高速無線通信で16QAM変調を用いる。 位相雑音は要求を満たしていない [1] 位相雑音 位相雑音を改善するためにはQ値と信号電力Psigを大きくする必要がある。 しかしQ値の改善には製造プロセス上の制約から限界があるので信号電力の増加により位相雑音を改善する。 信号電力 バイアス電流を増加?信号電力増大?電圧振幅も増大 電圧振幅はgmの確保できる範囲でしか大きくできない 同じ電圧振幅でも特性インピーダンスが小さい方が信号電力は大きくできる 　共振器に伝送線路を用い、特性インピーダンス　　を下げることで位相雑音を改善する 伝送線路 信号線の幅とパラメータ(R,L,C) 60GHzにおける伝送線路の各パラメータと幅の関係をシミュレーションをした。 幅を拡げた場合 R→Down L →Down C→Up 伝送線路のQとZ 幅を拡げることでQ値を良くしながら特性インピーダンスを下げられることを確認 プロセス上の制約から大きく幅を拡げられない スローウェーブ構造 通常のスローウェーブ構造とはLを大きくとるためにベタGNDの代わりに金属のスリットを入れる手法である[3] 本研究では応用しベタGNDの上に金属のスリットを入れて電磁界シミュレーションを行った スリットはうず電流を発生させない スリットの密度とパラメータ 特性インピーダンスとQ値 スローウェーブ構造を応用することによりQ値の劣化なく特性インピーダンスを下げられることを電磁界シミュレーションで確認 TL-VCO 特性インピーダンス100Ωと40Ωの理想伝送線路を用いてシミュレーションを行った。 60GHzでの発振を想定 特性インピーダンスと位相雑音 バイアス電流を大きくしていくと低い特性インピーダンスの伝送線路の方が位相雑音は小さくなる 同じ電圧振幅で比較すると低い特性インピーダンスの方が常に位相雑音は小さいことを確認 消費電力は0.84mW増加するが位相雑音を約1.3dB改善できることを確認した まとめ スローウェーブ構造を応用した伝送線路によりQ値の劣化がなく特性インピーダンスを下げられることを電磁界シミュレーションで示した。 理想の伝送線路でシミュレーションを行い、消費電力が増加するが位相雑音は改善できることを示した。 R.Murakami, Tokyo Tech * 2008/9/19 低インピーダンス伝送線路を用いたミリ波帯VCOの低雑音化の検討 *東京工業大学工学部電気電子工学科 **東京工業大学大学院理工学研究科 ○野見山 陽*,チャイヴィパース ウィン**, 　 岡田 健一**,松澤 昭** [1] N.Guo, et al., EURASIP 2007 [2] [2] A. Hajimiri and T. H. Lee, IEEE JSSC, 1998. K :　ボルツマン定数　　　　T : 絶対温度 Psig : 信号電力　　　　　　　　f0 : 発振周波数 ⊿f : オフセット周波数　　　Q : 共振器のQ値 I bias : バイアス電流 RP : 共振時の並列抵抗 Z : 伝送線路の特性インピーダンス Yin : 伝送線路の入力アドミタンス Vamp :電圧振幅 Q :伝送線路のQ値 QL:インダクタンスのQ値 QC:キャパシタンスのQ値 Z :特性インピーダンス R:伝送線路の抵抗 L:伝送線路のインダクタンス C:伝送線路のキャパシタンス　 ω:角周波数 20um 信号線とGNDのGAP [3] T.S.D Cheung, et al., IEEE JSSC 2006 　 先ほどの伝送線路にスローウェーブ構造を応用する 6.25um スリットまでの高さH 1um スリット幅 　　　 30um 信号線の幅 ※スリット密度= スリット本数×幅 伝送線路の長さ ×100 ※90nCMOSプロセスを用いて設計 m=4 w=6um l=90nm オフセット周波数：1MHz まず、内容としまして、何故この研究を行ったかという研究背景を説明させていただき、その後、位相雑音、伝送線路、スローウェーブ構造について行ったシミュレーションについて述べさせていただき、最後に発表内容についてまとめさせていただきます。 近年、60GHz帯の周波数領域を用いた高速無線通信が検討されています。60GHz帯の周波数領域は無