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半导体芯片制造简介： 发展阶段： 第一个商用平面晶体管 1957年 Fairchild 第一个IC 1958年 TI 第一个硅IC 1961年 Fairchild 第一个晶体管 1947年 Bell Labs 外延技术 1960年 离子注入技术，等离子刻蚀技术，化学气相淀积技术等新技术 70年代初 全球第一家集成电路标准加工厂 1987年 台湾积体电路公司 芯片加工精度在亚微米范围，出现电子束光刻，X射线光刻，深紫外光刻技术，分子束外延，薄层氧化工艺等新技术 铜互连工艺 1998年 IBM 主流产品特征尺寸在0.18 μm以下 2000年 特征尺寸在90nm 2004年 特征尺寸在32nm 2011年 准分子激光光刻，远紫外曝光光刻，电子束投影光刻有望成为主流技术 铜互连技术已应用在高端电路芯片的生产工艺中 （2）发展趋势： IC发展的标志：特征尺寸 集成度 摩尔定律: 1964年 戈登·摩尔提出 内容：芯片上的晶体管数每18个月翻一番（1975年） 工艺材料的物理极限问题 工艺技术瓶颈：光刻技术 集成电路工艺制造材料： 导体：作互连线，阻挡层，接触孔，通孔　如：Al Cu，Ta Ti 及其氮化物 , W 绝缘体：作介质层，保护层，钝化层 如 ：SiO2 低Ｋ介质 高Ｋ介质，Si3N4 半导体 如：Ge Si GaAs GaN （3）重要的半导体材料：硅Si 其特点：硅的丰裕度、更高的熔化温度允许更宽的工艺容限 （硅1412摄氏度、锗937摄氏度）、更宽的工作温度范围（硅150摄氏度、锗100摄氏度）、氧化物SiO2 现代的IC制造 硅片（衬底，晶圆）：制造电子器件的基本半导体材料，是单晶，圆形，薄片 半导体器件制作在接近硅片表面几μm处，淀积介质层和导电材料隔离或连接器件 多层布线结构 制作两到三个月，完成450道或更多的工艺步骤 微芯片制造工艺流程 制备硅片：半导体级硅提炼、单晶生长、整形切片等 硅片制造：在其表面形成器件和互连线层的过程、薄膜生长(氧化、淀积、外延)、图像转换（光刻、刻蚀）、掺杂（热扩散、离子注入）、其他技术（清洗、平坦化等） 硅片测试/拣选 装配与封装：划片、切割成芯片、压焊和包封 终测：确保集成电路通过电学和环境测试 （6）微芯片的沾污导致成品率损失80%失效芯片是由沾污带来的缺陷引起的；维护一个严格的微芯片制造环境很重要；清洗技术。 沾污类型：颗粒（危害检测）、金属杂质（可动离子沾污MIC，典型的有Na+）、有机物沾污、自然氧化层、静电释放（击穿，电荷累积吸引污染颗粒）。 污染源：空气、人、厂房、水、工艺用化学品、工艺气体、生产设备 超净间净化级别：标定了净化间的空气质量级别，由颗粒尺寸和密度来表征。 参考标准：ISO标准14644 FS-209E 超净间的净化控制：人员、厂房材料及布局、空气过滤及换气、气流和压力（层状单向流，高于外界压力）、温度和湿度、静电释放（采用静电消耗材料，接地，空气电离等方法消除）、噪声和振动、照明、工艺设备 超净服设备的净化：工作台（穿壁式）、硅片自动化处理、微环境（硅片隔离技术） （7）硅片清洗技术： 1).清洗工艺：湿法清洗（改进的RCA清洗工艺） 干法清洗 （利用热化学气体或等离子态反应气体与硅片表面产生化学反应，生成易挥发性反应物而去除） 螯合剂、臭氧、低温喷雾清洗等其他清洗技术 2).湿法清洗办法：兆声清洗、 喷雾清洗、刷洗器、水清洗、溢流清洗、排空清洗、喷射清洗、加热去离子水清洗 3).硅片甩干 第二章 晶体结构 一、非晶材料和晶体材料 非晶材料（无定形材料）：原子排列杂乱无章 晶体材料：原子排列有序，规则，从宏观上看：具有规则的几何外形，固定的熔点，解理性，各向异性 二、晶体材料 晶胞：晶体结构中最简单，最基本的单元 按晶胞的排列方式，晶体结构分为：多晶和单晶 三、 晶向和晶面 晶向决定了硅片中晶体结构的物理排列 不同晶向的硅片的化学，电学，机械性质不同，影响工艺制造和器件性能 密勒指数：用来标定晶向和晶面 四、晶体缺陷 理想的晶体：完美的结构，而实际的晶体：存在缺陷结构 晶体缺陷类型：点缺陷 线缺陷 面缺陷 体缺陷 硅中的晶体缺陷一般产生于晶体生长和后面硅锭和硅片加工中。 1.点缺陷 原子尺寸上的局部缺陷，会造成晶格畸变。 造成点缺陷的因素：晶体的生长速率，生长时的温度梯度，加工中的热处理，外来杂质的引入等 2.线缺陷：位错 刃形位错、 螺形位