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【MOS场效应管制造概述】 MOS场效应管制造概述 下面将讨论MOS芯片制造的基本原理和工艺流程的主要步骤。重点将放在一般工艺流程的步骤和各种工艺步骤间的相互影响上，它们将最终决定器件和电路的特性。电路设计人员必须具备芯片制造的实践知识，根据不同的制造参数有效地设计并优化电路。电路设计人员也应该对制造工艺中使用的各层掩膜的作用以及如何使用掩膜来定义片上器件的各种特性有清楚的了解。 本章集中讨论已经比较成熟的CMOS制造工艺，这种工艺要求在同一块芯片衬底上形成n沟道（nMOS）和p沟道（pMOS）晶体管。为了合理地安排nMOS管和pMOS管，必须在片上设定一些区域，在这些区域内半导体的类型与衬底的类型相反。这些区域称为阱（well）或槽（tub）。P型阱制作在n型衬底上，而n型阱制作在p型衬底上。 这里介绍的简单n阱CMOS制造技术中，是在p型衬底中形成nMOS管，而在p型衬底上先形成n阱，再在n阱中形成pMOS管。在双阱CMOS技术中，为了优化器件，可以生成与衬底类型相同的附加的阱。 P型Si衬底 n沟道MOS管 p沟道MOS管 n阱（n well）或 n槽（n tub） N型Si衬底 p沟道MOS管 p阱（p well）或 p槽（p tub） n沟道MOS管 Si衬底 p沟道MOS管 n阱 n沟道MOS管 p阱 p阱CMOS制造技术 n阱CMOS制造技术 双阱CMOS技术 下面是一个p型硅衬底上的CMOS集成电路简化制造工序。首先通过在衬底中注入杂质生成p型MOS管用的n阱区域。然后，在nMOS和pMOS有源区的四周逐渐形成厚氧化层。随后，通过热氧化作用在表层形成薄的栅极氧化层。这些步骤之后，通过注入形成源、漏和沟道停止的n+和p+区，最后形成金属连线。 MOS场效应管制造概述 产生n阱区和沟道停止区 形成场氧化层和栅极氧化层 淀积并成型多晶硅层 注入源区、漏区和衬底接触区 产生接触孔、淀积并成型金属层 p型Si衬底 n阱区 n+ n+ p+ p+