4、MOS管的四种类型 增强型 耗尽型 大量正离子 导电沟道 3.6.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 N型 P型 一、工作原理 1、当Vi=VIL=0, 由于T2(N 型),VGS2<VGS(th)N,T2截止; 而T1(P ),VGS1=-VDD < VGS(th)P,T1导通。 输出VO=VOH≈ VDD 2、当Vi=VIH=VDD, 由于T2(N 型),VGS2=VDD >VGS2(th)N,T2导通; 而T1(P 型),VGS1=0 > VGS1(th)P,T1截止。 输出VO=VOL≈0 N型 P型 二、电压、电流传输特性 三、输入噪声容限 结论:可以通过提高VDD来提高噪声容限 3.6.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 一、输入特性 二、输出特性 3.6.4 CMOS反相器的动态特性 一、传输延迟时间 二、交流噪声容限 三、动态功耗 3.7.1 其他类型的CMOS门电路 一、其他逻辑功能的门电路 1. 与非门 2.或非门 N型 P型 N型 P型 带缓冲极的CMOS门 1、与非门 带缓冲极的CMOS门 2.解决方法 二、漏极开路的门电路(OD门) N型 三、 CMOS传输门及双向模拟开关 1. 传输门 N型 P型 2. 双向模拟开关 四
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