第8章陶瓷封装.pptVIP

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8.3 陶瓷基板材料 主要材料:氧化铝Al2O3、氧化铍、碳化硅、氮化铝与玻璃陶瓷等。 特点:耐热性好、热导率高、热膨胀系数适当、微细化布线等优点。 应用于LSI封装及混合集成电路中。 表 陶瓷材料的基本特性比较 材 料 种 类 介电系数(at 1MHz) 热膨胀系数(ppm/℃) 热导率(W/m·℃) 工艺温度(℃) 抗扰强度(MPa) 92%氧化铝 9.2 6 18 1?500 ~300 96%氧化铝 9.4 6.6 20 1?600 400 99.6%氧化铝 9.9 7.1 37 1?600 620 氮化硅(Si3N4) 7 2.3 30 1?600 — 碳化硅(SiC) 42 3.7 270 2?000 450 氮化铝(AlN) 8.8 3.3 230 1?900 350~400 氧化铍(BeO) 6.8 6.8 240 2?000 241 氮化硼(BN) 6.5 3.7 600 2?000 — 钻石(高压) 5.7 2.3 2000 2?000 — 钻石(CVD) 3.5 2.3 400 ~1?000 300 玻璃陶瓷 4~8 3~5 5 1?000 150 1、氧化铝陶瓷浆料 浆料(Slurry, or Slip):无机与有机材料的组合。将各种无机和有机材料混合后,经一定时间的球磨后即称为浆料。也称为生胚片载体系统。 无机材料组成:氧化铝粉与玻璃粉末 有机材料组成:粘合剂、塑化剂、有机溶剂 无机材料中添加玻璃粉末的目的包括:调整纯氧化铝的热膨胀系数、介电系数等特性;降低烧结温度。 8.3.1氧化铝 2、陶瓷基板材料配比 陶瓷基板又可区分为高温共烧型与低温共烧两种。 在高温共烧型的陶瓷基板中,无机材料通常为约9:1的氧化铝粉末与钙镁铝硅酸玻璃(Calcia-Magnesia-Alumina Sillicate Glass)或硼硅酸玻璃(Borosilicate Glass)粉末; 在低温共烧型的陶瓷基板中,无机材料则为约1:3的陶瓷粉末与玻璃粉末,陶瓷粉末的种类则根据基板热膨胀系数的设计而定。 3、有机材料 黏结剂为具有高玻璃转移温度、高分子量、良好的脱脂烧化特性、易溶于挥发性有机溶剂的材料,主要的功能在提高陶瓷粉粒暂时性的黏结以利生胚片(Green Tape)的制作及厚膜导线网印成型的进行。 塑化剂的功能及塑化作用(Plasticization)是调整黏结剂的玻璃转移温度,并使用生胚片具有扰屈性。 有机溶剂的功能包括在球磨过程中促成粉体的分离(Deagglomeration),挥发时在生胚片中形成微细的孔洞。 4、合成浆料 将前述的各种无机与有机材料混合后,经一定时间的球磨后即称为浆料(或称为生胚片载体系统,Green-Sheet-Vehicle System),再以刮刀成型技术(Doctor-Blaze Process)制成生胚片。 8.3.2氮化铝 氮化铝为具有六方纤锌矿结构的分子键化合物,它的结构稳定,无其它的同质异形物(Polytyes)存在,熔点高、低原子量、简单晶格结构等特性。 与氧化铝相比,氮化铝材料具有极为优良的热导率,较低的介电系数(约8.8),与硅相近的热膨胀系数,因而它亦是陶瓷封装重要的基板材料。 氮化铝粉体制备 氮化铝粉体制备最常见的方法为碳热还原反应(Carbothermic Redution)和铝直接氮化技术。 碳热还原反应将氧化铝与碳置于氮气的气氛中,氧化铝与碳反应还原的产物同时被氮化而形成氮化铝。 铝直接氮化的工艺为将熔融的微小铝颗粒直接置于氮气反应气氛中而形成氮化铝。 基板制造 热压成型(Hot Pressing)与无压力式烧结(Pressureless Sintering)为制成致密的氮化铝基板常见的方法,工艺中通常加入氧化钙(CaO)或三氧化二钇(Y2O3)烧结助剂以制成致密氮化铝基板,氧化铍、氧化镁、氧化锶(SrO)等亦为商用氮化铝粉末常见的添加物。 8.3.3氧化铍 氧化铍是铍的氧化物,剧毒,化学式BeO。氧化铍为白色粉末,有很高的熔点。氧化铍是密排立方的闪锌矿结构。氧化铍的热导率极高,高于金属铝,被广泛使用在要求热导率较高的场合。但高于300度时,其热导率会下降。氧化铍具有毒性 ,机械加工时必须防止吸入其粉尘。 8.3.4碳化硅 碳化硅又称金钢砂或耐火砂。分子式为SiC,其硬度介于刚玉和金刚石之间,纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同,而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色,

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