隧穿场效应晶体管和InGaAs场效应晶体管的可靠性研究.doc

复旦大学博士论文 学校代码： 10246 学 号： 071021026 博 士 学 位 论 文 隧穿场效应晶体管和InGaAs场效应晶体管的可靠性研究 院 系： 信息科学与工程学院 专 业： 微电子学与固体电子学 姓 名： 焦广泛 指 导 教 师： 黄大鸣 教授 李名复 教授 完 成 日 期： 2012年 4月5日 指导小组成员 李名复 教授 复旦大学微电子学系 仇志军 副教授 复旦大学微电子学系 黄大鸣 教授 复旦大学微电子学系 PAGE 2 PAGE 51 目录 TOC \o 1-3 \h \z \u 目录 I 摘要 II Abstract IV 第一章 引言 1 1.1 微电子技术的发展与挑战 1 1.2 隧穿场效应晶体管 5 1.3 InGaAs场效应晶体管 7 1.4 场效应晶体管的关键可靠性问题 9 1.5 论文的主要工作及内容安排 15 1.6 参考文献 16 第二章 场效应晶体管的可靠性电学测试方法和特性模拟 23 2.1 电流电压方法 23 2.2 电荷泵浦方法 32 2.3 其他方法：电容电压和电噪声方法 38 2.4 可靠性特性模拟 46 2.5 本章小结 47 2.6 参考文献 47 第三章 隧穿场效应晶体管的电学特性和可靠性 50 3.1 隧穿场效应晶体管及其电学特性 50 3.2 隧穿场效应晶体管的偏压温度不稳定性 53 3.3 隧穿场效应晶体管的热载流子注入 56 3.4 隧穿场效应晶体管的退化机理讨论 61 3.5本章小结 70 3.6 参考文献 72 第四章 InGaAs 场效应晶体管的电学特性和可靠性 75 4.1 InGaAs 场效应晶体管及其电学特性 75 4.2 InGaAs场效应晶体管的偏压温度不稳定 88 4.3 InGaAS场效应晶体管的陷阱模型 99 4.4 InGaAs场效应晶体管的关态电流特性 106 4.5 本章小结 109 4.6 参考文献 110 第五章 总结与展望 115 攻读博士学位期间的论文发表情况 117 致谢 119 摘要 随着MOSFET尺寸的不断缩小，器件的功耗问题和可靠性问题成为制约集成电路发展的重要因素。为了降低集成电路的功耗，隧穿场效应晶体管（TFET）和InGaAs MOSFET成为了国际上的研究重点。与传统Si MOSFET比较，TFET的室温亚阈值摆幅可以突破60mV/decade的限制，InGaAs材料的电子迁移率大约比Si材料的电子迁移率高一个数量级。虽然国际上对TFET和InGaAs MOSFET已经做过很多研究工作，但是对上述器件的可靠性，国际上仍然缺乏了解。 本论文针对n型TFET和InGaAs MOSFET的正偏压温度不稳定性（Positive Bias Temperature Instability或PBTI）和热载流子注入（Hot Carrier Injection或者HCI）展开研究，具体内容包括：（1）通过与传统nMOSFET的PBTI和HCI的比较，分析TFET在应力下退化的机理。（2）根据InGaAs nMOSFET的PBTI退化特性，提出一种陷阱模型，分析关态电流的退化原因。 本论文工作的主要结果有：（1）对nTFET来说，在PBTI和HCI应力下，器件的退化比传统nMOSFET严重。应力在隧穿结附近产生的界面陷阱和氧化层电荷能使隧穿电场减小，导致Id的退化。（2）如果nTFET的p+源区与栅电极有交叠，那么在应力电压作用下，会在隧穿结附件出现一个垂直界面的电场峰，从而在隧穿结附近产生更多的界面陷阱和氧化层电荷，使Id的退化加重。（3）nTFET的HCI退化主要发生在源区附近。（4）对InGaAs nMOSFET来说，在PBTI应力下，在IsVg特性的亚阈值区，对于相同的Is，ΔVg是负值。但是在强反型区，ΔVg是正值。在恢复阶段，在IsVg特性的亚阈值区，ΔVg会由负变正；在强反型区，ΔVg会继续增大，最后达到一个稳定的值。（5）PBTI应力会在InGaAs nMOSFET中靠近Al2O3/InGaAs界面的氧化层中产生陷阱。它由可恢复的施主型陷阱和不可恢复的受主型陷阱组成。施主型陷阱主要分布于InGaAs禁带中央附近，它的密度会随能量的升高而减小。受主陷阱主要分布于InGaAs