硅晶体的结构.ppt

Si（固体）+ 4HCl（气体）?SiCl4（气体）＋2H2（气体） Si（固体）+ 2HCl（气体）?SiH2Cl2（气体） Si（固体）+ HCl（气体）＋H2（气体）?SiH3Cl（气体） SiHCl3（气体）＋SiH3Cl（气体）?2SiH2Cl2（气体） SiCl4（气体）＋H2（气体）?SiHCl3（气体）＋ HCl（气体） 杂质氯化物如：BCl3、PCl3、AlCl3 副产物：SiCl4、SiH3Cl、2SiH2Cl2等 存在的杂质 对粗三氯硅烷进行精馏 原理：利用各组分沸点的不同来达到分离杂质的目的。 精馏后的三氯硅烷的纯度可达9“N” c) 三氯硅烷（TCS）?电子纯硅（EGS） 精馏后的三氯硅烷，被高纯度H2带入 “西门子反应器”(还原炉 )。 炉中先将细硅棒通电加热，控制温度在1050～1150℃ 西门子反应器 三氯硅烷法的优点：生产成本低、效率高 三氯硅烷法的缺点：三氯硅烷遇水形成具有腐蚀性的HCl气体，设备中重金属Fe、Ni等被腐蚀，从而污染三氯硅烷 。 硅烷法提纯 硅烷发生器：将Mg2Si与NH4Cl混合 纯化系统：低温精馏＋吸附提纯 分解炉：与三氯硅烷法的还原炉基本相同 合成炉 硅烷发生器 纯化系统 分解炉 冶金硅粉 Mg屑 NH4Cl Mg2Si NH3 SiH4 纯SiH4 多晶硅 d) 电子纯硅?单晶硅锭 1、直拉法CZ(Czo