固体物理学---第六章.docVIP

第六章 半导体 6.1 半导体的能带结构 一、本征半导体 导带（空带） 价带（满带） 在能带底有： 实际上，等能面一般为椭球面，如图所示： 二、杂质半导体 如图所示： 多出一个正电中心和一个电子，这个电子受到正电中心的某种束缚，它的能量在禁带里，不完全自由，形如： 若参杂B族元素，相当于： 参杂后在禁带中产生一些附加的能级： 自由时 非自由时 此类型叫类氢模型。 加A类型的杂质叫施主，对应的能级叫施主能级；加B类型的杂质叫受主，对应的能级叫受主能级; 三、缺陷引起的附加能级 如图所示： 当纳过量，则晶体中形成正电中心-----将出现施主能级；当氯过量，则晶体形成负电中心，将出现受主能级。 6.2 半导体的光吸收 本征吸收 当 时发生吸收，谱线为连续谱，但有一个吸收下限值 由准动量守恒：可见光的 ； 电子的为； 称此种跃迁叫竖直跃迁。 如图所示： 这就是光敏电阻，光电二极的原理，非常普遍用于信号传递、隔离及照明。还有如下的情形： 如果仅考虑电子的动量和光子的动量，则不满足动量守恒，为此可考虑在此过程中电子吸收或房产一个声子： 由能量守恒： 而 只有百分之几电子伏特， 激子吸收 实验上发现在禁带有吸收峰，但此处无光电流。假设光子打出一个电子，但电子不能一下子到达导带上，而是在导带下面差一个类氢电