尼曼 半导体物理与器件第七章.docVIP

高等半导体物理与器件 ? 右图所示的临界电场是 掺杂浓度的函数。 ? 前面讨论的是均匀掺杂 的平面结。 ? 线性缓变结击穿电压会下降 。 ? 左图显示了突变结及线性缓 变结的击穿电压曲线。 ? 假如把扩散结表面的曲率同 样考虑进来，则击穿电压的 值会进一步下降。 第七章 pn结 30 高等半导体物理与器件 小 结 ? 均匀掺杂同质pn结 ? 空间电荷区（极性）、耗尽区、势垒区 ? 内建电场（方向）、内建电势差 ? pn结热平衡态（零偏），内建电势差大小 ? 耗尽区假设、空间电荷区宽度 ? 反偏pn结，势垒电容 ? 单边突变结 ? 击穿效应 第七章 pn结 31 高等半导体物理与器件 作业 7.18 Si 第七章 pn结 32 高等半导体物理与器件 第七章 pn结