半导体物理学第七版刘恩科编著第四章习题-精选课件(公开).pptVIP

第四章 半导体的导电性 1、对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体，为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同？试加以定性分析。 对于重掺杂半导体，在低温时，杂质散射起主体作用，而晶格振动散射与一般掺杂半导体的相比较，影响并不大，所以这时侯随着温度的升高，重掺杂半导体的迁移率反而增加；温度继续增加后，晶格振动散射起主导作用，导致迁移率下降。对一般掺杂半导体，由于杂质浓度较低，电离杂质散射基本可以忽略，起主要作用的是晶格振动散射，所以温度越高，迁移率越低。 2 什么叫迁移率？影响迁移率的主要因素有哪些？ 迁移率是单位电场强度下载流子所获得的漂移速率。影响迁移率的主要因素有能带结构（载流子有效质量）、温度和各种散射机构。 3、试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。 温度很低时，电阻率随温度升高而降低。因为这时本征激发极弱，可以忽略；载流子主要来源于杂质电离，随着温度升高，载流子浓度逐步增加，相应地电离杂质散射也随之增加，从而使得迁移率随温度升高而增大，导致电阻率随温度升高而降低。 温度进一步增加，电阻率随温度升高而升高。在这一温度范围内，杂质已经全部电离，同时本征激发尚不明显，故载流子浓度基本没有变化。对散射起主要作用的是晶格散射，迁移率随温度升高而降低，导致电阻率随温度升高而升高。 温度再进一步增加，电阻率随温度升高而降低。这时本征激发越来越多，虽然迁移率随温度升高而降低，但是本征载流子增加很快，其影响大大超过了迁移率降低对电阻率的影响，导致电阻率随温度升高而降低。当温度超过器件的最高工作温度时，器件不能正常工作。 P 143 2 试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350 cm2/(V·S)和500 cm2/(V·S)。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。比本征Si的电导率大了多少倍？ P143 7 长为2 cm的具有矩形截面的Ge样品，截面线度分别为1 mm和2 mm，掺有1022 m-3受主，试求室温时样品的电导率和电阻。再掺入5×1022 m-3施主后，求室温时样品的电导率和电阻。 P144 17 （1）证明当μn≠ μp，且电子浓度 时，材料的电导率最小，并求出其表达式。 （2）试求300 K时Ge和Si样品的最小电导率的数值，并和本征电导率相比较。 P144 17 * * * * * * P143 2.解： 掺入As：ND=5×1022×10-6=5×1016/cm3 本征载流子浓度，附录B可查 n0=ND 查图4-14得到 7. 解： （1）已知 因此为轻掺杂，视为杂质全电离 （2） N型半导体