半导体制造工艺之扩散原理概论.pptVIP

上节课主要内容 ;如何判断对费克定律应用何种解析解？ 当表面浓度为固溶度时，意味着该分布是余误差分布 当表面浓度较低时，意味着该分布是经过长时间的推进过程，是高斯分布。;例题：CMOS中的p阱的形成。要求表面浓度Cs=4x1017 cm-3，结深xj=3 mm。 已知衬底浓度为CB=1×1015 cm3。 设计该工艺过程。;假定推进退火获得的结深，则根据;2）推进退火的时间;4）假如采用950 ?C热扩散预淀积而非离子注入;影响杂质分布的其他因素;1、电场效应（Field effect）——非本征扩散;所以，杂质流由两部分组成：;由 并假定杂质全部离化，有;电场效应对于低浓度本体杂质分布影响更大;2、扩散系数与杂质浓度的关系;;非本征掺杂扩散系数比本征掺杂扩散系数高一个数量级！！;对于B，P来说，在氧化过程中，其扩散系数增加。 对Sb来说，扩散系数减小。 双扩散机制: 杂质可以通过空位和间隙两种方式扩散;;2）ORD：对于Sb来说，其在硅中的扩散主要是通过空位进行。 氧化注入间隙?间隙和空位在硅中复合 ?硅中空位浓度减小?Sb的扩散被抑制 I+V?Sis;4、发射极推进效应（Emitter Push effect）;常用杂质硼（B），磷（P），砷（As）在硅中的性质 ;2）磷;3）砷;气态相源扩散（gas sour