用MPCVD法合成碳奈米尖锥及其他奈米结构之制程开发和场效发射.pdfVIP

用 MPCVD 法合成碳奈米尖錐及其他奈米結構 之製程開發和場效發射性質 研究生：鄧伊茹 指導教授：郭正次 教授 國立交通大學 材料科學與工程研究所 摘要 本研究利用微波電漿化學氣相沉積法(MPCVD) ，以甲烷(CH4)與 氫氣 (H2)為反應氣體，鈷(Co) 、鎳(Ni)與鐵(Fe)為觸媒，成功的開發出 於矽晶片上合成各種不同形貌，如：管狀、錐狀及纖維狀之具有優異 場發射性質的碳奈米結構製程。各種碳 奈米結構的可能成長機制將於 稍後說明。首先，利用物理氣相沉積法 (PVD)於Si晶片上鍍一層金屬觸 媒薄膜，接著將試片進行氫電漿前處理 ，目的用以得到均勻分布的奈 米觸媒粒子。試片完成氫電漿前處理後，便開始於MPCVD 系統中進行 奈米結構的合成。各製程步驟所得到的奈米結構及其性質將藉由掃描 電子顯微技術 (SEM) 、穿透電子顯微技術(HRTEM) 、拉曼光譜技術 (Raman spectroscopy)、歐傑電子頻譜技術(AES) 以及場發射J-E測量法加 以分析探討。從本研究中可獲得下列結論。 I 由上述的沉積條件中，藉由操控不同的製程參數可得到的奈米結 構包括：(1)碳奈米尖錐 (CNCs)包覆矽奈米尖錐 (SNCs) ，(2) CNCs包覆 SNCs結構頂端成長碳奈米纖維 (CNFs) ，(3)碳奈米管 (CNTs) 等。實驗結 果顯示，具有 (1)與(2)之形貌的奈米結構表現出了極優異的場發射性 2 質。二者在電流密度到達 1 mA/cm 時的起始電場強度範圍分別為， 0.53 – 0.63 與 0.18 – 0.56 V/μm 。而當電場強度固定於10 V/μm時，二者 亦表現出了超過 35 mA/cm2 之儀器所能量測的最大發射電流密度。就本 人所知，在目前被發表的文獻中，似乎尚未有較本研究更為優異的場 發射性質被報導。此外，在對奈米結構進行了超過 10 次以上的場發射 性能測試後，仍不見其出現損壞的現象 ，這也間接證明了本研究所成 長出的奈米結構與基材間具有強鍵結之特性。 在各製程參數的影響方面，最有利合成出具有最優異場發射性質 的 CNCs包覆 SNCs結構頂端成長 CNFs結構之條件為：較低的 CH /H 流 4 2 量比 (~ 1/100 sccm/sccm)與工作壓力(~ 9 Torr) 、沉積時間約10 分鐘、較 高的基材負偏壓 (-320 V)及以 Fe為成長觸媒。在較高的基材負偏壓環境 中，當 CH濃度從 100%逐漸減少時，結果顯示所生成的奈米結構會由 4 CNTs 先變成CNCs包覆 SNCs結構，再轉變為 SNCs表面覆蓋非晶質碳 (a-C)之結構，最後當氣相中沒有CH存在時，便只有 SNCs結構的形成。 4 隨著沉積時間的增加，所形成的奈米結構會由 CNCs包覆 SNCs結構，逐 II 漸變成 CNCs包覆 SNCs結構頂端成長 CNFs的結構。系統中的壓力則主 要影響是否促使 CNCs頂端成長 CNFs結構的形成。 . 在不同的奈米結構之成長機制方面，錐狀奈米結構的形成主要是 因為，觸媒顆粒表面的蝕刻速率大於沉 積速率，因而使得觸媒顆粒逐 漸變小，於是錐狀形貌便逐漸形成。此 外，觸媒顆粒因溶碳而造成其 熔點下降亦將是使得觸媒顆粒逐漸變小的原因之ㄧ。換句話說，奈米 結構的形貌變化是由蝕刻速率與沉積速 率的比例所決定。當蝕刻