2.电力电子器件 (4)- IGBT及其它全控器件 -.pptVIP

电力电子技术 (Power Electronics) 电力电子器件 武汉科技大学信息科学与工程学院 2- * * 第2章 电力电子器件 * * 第一节 电力电子器件概述 第二节 不可控器件——电力二极管 第三节 半控型器件——晶闸管 第四节 典型全控型器件 第五节 其他新型电力电子器件 第六节 功率集成电路与集成电力电子模块 本章小结及作业 * * 2.4 典型全控型器件 2.4.1 门极可关断晶闸管 2.4.2 电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 * * GTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 MOSFET的优点——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单，但电压低，电流小。 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 * * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor，IGBT） GTR和MOSFET复合，结合二者优点，具有好的特性; 1986年投入市场后，取代了GTR，GTO和一部分MOSFET的市场,成为中小功率电力电子设备的主导器件; 制造水平2.5kV / 1.8kA。 * * 1、IGBT的结构和工作原理 三端器件，包括：栅极G、集电极C和发射极E。 由N沟道VDMOSFET与双极型晶体管组合而成的IGBT，比VDMOSFET多一层P+注入区，实现对漂移区电导率进行调制，使得IGBT具有很强的通流能力。 简化等效电路表明，IGBT是用GTR与MOSFET组成的达林顿结构，相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 * 简化等效电路 简化等效电路表明，IGBT是用GTR与MOSFET组成的达林顿结构，相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。RN为晶体管基区内的调制电阻。 * * IGBT的工作原理 ? 驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。 导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 导通压降：电导调制效应使基区内的调制电阻RN减小，使通态压降小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 * * 2. IGBT的基本特性 1)?IGBT的静态特性 开启电压 IGBT的转移特性 输出特性 * * 1、静态特性 IGBT的静态特性主要有输出（伏安）特性及转移特性。 （1）IGBT的输出特性（伏安特性） 以栅射电压UGE为参变量，集电极电流IC和集射电压UCE间的关系曲线。IGBT的输出特性分为饱和区、有源区和正向阻断区三个部分。 在正向导通的大部分区域内，IC与UCE呈线性关系，此时IGBT工作于放大区内。对应着输出特性的弯曲部分，IC与UCE呈非线性关系，此时IGBT工作于饱和区。 开关器件IGBT常工作于饱和状态和正向阻断状态，若IGBT工作于放大状态将会增大IGBT的损耗。 * * (2) IGBT的转移特性 是指输出集电极电流IC与栅射控制电压UGE之间的关系曲线。当栅射电压UGE＜UGEth时，IGBT处于关断状态。当UGE＞UGEth时，IGBT导通。IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与UGE呈线性关系。 * * IGBT的开通过程?????? 与MOSFET相似 开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 开通时间ton t t t 10% 90% 10% 90% U CE I C 0 O 0 U GE U GEM I CM U CEM t fv1 t fv2 t off t on t fi1 t fi2 t d(off) t f t d(on) t r U CE(on) U GEM U GEM I CM I CM 2、动态特性 uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。 tfv1——IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程； tfv2——MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。 * * ? IGBT的开通过程与MOSFET的相似，因为开通过程中IGBT在大部分时间作为MOSFET运行。 开通延迟时间td(on)：uGE上升至其幅值10%的时刻，到iC上升至10% ICM?????? 电流上升时间tr：iC从10%ICM上升至90%ICM所需时间 开通时间ton：开通延迟时间与电流上升时间之和 * * t t