真空紫外VUV光谱.ppt

新型闪烁体研究进展 纳米ZnO紫外激光材料国际前沿的新热点? 极强的商业背景 1997, Science ”Will UV Lasers Beat the Blues”, 日本,香港 1998, PRL(Cao H.), 纳米份体中观察到 UV激光 1999, 在美国召开首届国际ZnO专题会 2001, Science等报导: 纳米线,带,棒? 极强的自组装特性 结论： 纳米结构ZnO薄膜的紫外发光随激发密度的增加超线性增长，绿带发射呈亚线性增长并趋于饱和，激光泵浦下可产生紫外激光。紫外带(390nm)源于激子发光，绿带(520nm)源于缺陷。 紫外发射的最佳激发在VUV区，源于下价带电子到导带的激发。 VUV（195nm）下首次发现新的短波发射带（280nm） 纳米ZnS:Mn----高量子效率,快发光衰减? ms? ?10ns (缩短5个量级),具有‘反常’特点(已被否定) 现研究的纳米材料: (1) 紫外激光: ZnO薄膜, ZnO颗粒(即其掺杂） (2)高效红光:Y2O3:Eu, Y2SiO5:Eu, Gd2SiO5:Eu (3)高效快闪烁体: Y2SiO5:Ce, Gd2SiO5:Ce (降低生成温度,熔点??1600?C , ?2000?C) Several special structure of ZnO: (a)nanobelt, (b)tetrapod-like crystals, (c)nanorods and (d)nanowires Two different models of light amplification for (a)random system. and (b)order system. (a) (b) 纳米结构ZnO薄膜的UV激光发射 阈值240kwcm-2 Powder! ZnO纳米颗粒(? 50nm)的UV激光发射 六角形结构(?nm)晶面构成谐振腔 Lasing ZnO薄膜的微观结构 直流溅射法制备ZnO薄膜的AFM图 ZnO薄膜发光 UV带源于激子发光(本征); 绿带源于缺陷 UV带随激发密度超线性增长 绿带是亚线性增长 Fig.1 Emission spectra of ZnO film at different temperature, λex=195nm Fig.2 Integrated intensities of 290 and 380 nm emission peaks at different temperatures Fig.3 Suggested band structure of ZnO film 发射谱（ λex=195nm ） (a)： time-integrated (b)： fast time window (4-8ns) (c)： slow time window (20-160ns) a b c ZnO薄膜290、380nm发射的激发谱（T = 7K）。 Muffin-tin（FP-LMTO）方法计算所得ZnO价带的电子总态密度和Zn 4s，O 2p（三种不同取向轨道）—左图，以及Zn 3d（五种不同取向轨道）的分态密度分布—右图。  ZnO的能带结构及其光跃迁示意图 Fig. 2. Decay spectra of 290nm at 13K, 90K and 130K. λex=195nm. ZnO单晶发光(无Lasing,上图); 薄膜发光(Lasing,下图) 美国Wake Forest 大学测试结果 ZnO单晶与薄膜(USTC)的时间分辨光谱 ZnO薄膜样品(硅衬底，石英衬底) * 真空紫外(VUV)光谱 在发光材料中的应用 施朝淑 中国科学技术大学物理系 国家同步辐射实验室 VUV激发物理与固体能态研究 宽禁带半导体中受激发光（如ZnO） 宽禁带绝缘体的电子态（如CeF3、PbWO4、BaFBr:Eu） 稀土离子的高激发态（GdLiF4:Eu） 内层芯电子的激发（BaF2型） BaF2 ? BaF2:Ce ? CeF3 ? PbWO4 ? Lu2SiO5:Ce 闪烁体的发展受高能物理与核医学发展的驱使 引言、 HE