半导体制造工艺之离子注入原理讲义.pptVIP

半导体制造工艺基础 第七章 离子注入原理 (上) 有关扩散方面的主要内容 费克定律的运用和特殊解 特征扩散长度的物理含义 非本征扩散 常用杂质的扩散特性及与点缺陷的相互作用 常用扩散掺杂方法 常用扩散掺杂层的质量测量 Distribution according to error function Distribution according to Gaussian function 实际工艺中二步扩散 第一步 为恒定表面浓度的扩散（Pre-deposition） （称为预沉积或预扩散） 控制掺入的杂质总量 第二步 为有限源的扩散（Drive-in），往往同时氧化 （称为主扩散或再分布） 控制扩散深度和表面浓度 什么是离子注入 离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的表层，以改变这种材料表层的物理或化学性质 ? 离子注入的基本过程 将某种元素的原子或携带该元素的分子经离化变成带电的离子 在强电场中加速，获得较高的动能后，射入材料表层（靶） 以改变这种材料表层的物理或化学性质 离子注入特点 可通过精确控制掺杂剂量（1011-1018 cm-2）和能量（1-400 keV）来达到各种杂质浓度分布与注入浓度 平面上杂质掺杂分布非常均匀（1% variation across an 8’’ wafer） 表面浓度不受固溶度限制，可做到浅结低浓度 或深结高浓度 注入元素可以非常纯，杂质单一性 可用多种材料作掩膜，如金属、光刻胶、介质；可防止玷污，自由度大 离子注入属于低温过程（因此可以用光刻胶作为掩膜），避免了高温过程引起的热扩散 横向效应比气固相扩散小得多，有利于器件尺寸的缩小 会产生缺陷，甚至非晶化，必须经高温退火加以改进 设备相对复杂、相对昂贵（尤其是超低能量离子注入机） 有不安全因素，如高压、有毒气体 磁分析器 离子源 加速管 聚焦 扫描系统 靶 r BF3：B++，B+，BF2+，F+, BF+，BF++ B10 B11 源（Source）：在半导体应用中，为了操作方便， 一般采用气体源，如 BF3，BCl3，PH3，AsH3等。如用固体或液体做源材料，一般先加热，得到它们的蒸汽，再导入放电区。 b) 离子源（Ion Source）：灯丝（filament）发出的自由电子在电磁场作用下，获得足够的能量后撞击源分子或原子，使它们电离成离子，再经吸极吸出，由初聚焦系统聚成离子束，射向磁分析器 气体源：BF3，AsH3，PH3，Ar，GeH4，O2，N2，... 离子源：B ， As，Ga，Ge，Sb，P，... 离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有电活性。 注入离子如何在体内静止？ LSS理论——对在非晶靶中注入离子的射程分布的研究 1963年，Lindhard, Scharff and Schiott首先确立了注入离子在靶内分布理论，简称 LSS理论。 该理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程 (1) 核阻止（nuclear stopping） (2) 电子阻止 （electronic stopping） 总能量损失为两者的和 核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论 阻止本领（stopping power）：材料中注入离子的能量损失大小 单位路程上注入离子由于核阻止和电子阻止所损失的能量 (Sn(E), Se(E) )。 核阻止本领：来自靶原子核的阻止，经典两体碰撞理论。 电子阻止本领：来自靶内自由电子和束缚电子的阻止。 -dE/dx：能量随距离损失的平均速率 E：注入离子在其运动路程上任一点x处的能量 Sn(E)：核阻止本领/截面 (eVcm2) Se(E)：电子阻止本领/截面（eVcm2) N: 靶原子密度 ～5?1022 cm-3 for Si LSS理论 能量E的函数 能量为E的入射粒子在密度为N的靶内走过x距离后损失的能量 核阻止本领 注入离子与靶内原子核之间两体碰撞 两粒子之间的相互作用力是电荷作用 摘自J.F. Gibbons, Proc. IEEE, Vol. 56 (3), March, 1968, p. 295 核阻止能力的一阶近似为： 例如：磷离子Z1 = 15, m1 = 31 注入硅Z2 = 14, m2 = 28, 计算可得： Sn ~ 550 keV-mm2 m——质量， Z——原子序数 下标1——离子，下标2——靶 对心碰撞，最大能量转移： 电子阻止本领 把固体中的